发布时间：2019-04-08

我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。 一、什么是安全工作区？ 安全工作区：SOA（Safe operating area）是由一系列（...

发布时间：2016-09-02

漏极电压Vd，从0至4V进行扫描，在每个Vd扫描之后，门极电压Vg步进到下一个数值。传统的只有直流的Vds-id和通过4200-RBT, 偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个SMU ，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。 Vds id-pulse测试如图7所示。由于脉冲测试是UTMS（用户测试模块），...