发布时间：2022-07-06

国产晶体管中，一般大多把锗管做成pnp型，而把硅管做成npn型，可以根据这个特点，通过测量管型或从管壳上的标志便可很容易地判别出锗管和硅管。但对于进口管和小部分国产就不一定了，因在两种管型中既有锗管又有硅管，对此必须经过测试才能确定。方法如下： 1、测量电阻法 用指针式，将基打到rx1k档，测量晶体管的发射集（或集电结）正向电阻，如果表针指示在中间或中间偏右的位置，说明该...

发布时间：2021-07-20

硅晶体管创新还有可能吗？意法半导体超结MDmeshTM案例研究 意法半导体功率晶体管事业部的战略营销、创新和大项目经理 前言 自从固态晶体管取代真空电子管以来，半导体工业取得了令人惊叹的突破性进展，改变了我们的生活和工作方式。如果没有这些技术进步，在封城隔离期间我们就无不可能远程办公，与外界保持联系。总之，没有半导体的技术进步，人类就无法享受科技奇迹。 举...

发布时间：2021-01-12

将万用表拨至R×1k档。对于PNP型管，黑表笔接发射极E，红表笔接基极B，给发射极接上正向电压。锗管发射结正向导通电压VBE=0.15～0.3V，硅管的VBE=0.6～0.7V。采用读取电压法可确定VBE的大小，区分硅管与锗管。 对于NPN型管只需将表笔位置交换一下即可。 举列说明：选择MF 30型万用表R×1k档，按照50mA DC刻度读取n′①。 实例之一：事先...

发布时间：2020-11-05

　　硅管和锗管在特性上有很大不同，使用时应加以区别。我们知道，硅管和锗管的PN结正向电阻是不一样的，即硅管的正向电阻大，锗管的小。利用这一特性就可以用万用表来判别一只晶体管是硅管还是锗管。 　　判别方法如下： 　　将万用表拨到R*100挡或R*1K挡。测量二极管时，万用表的正端接二极管的负极，负端接二极管的正极；测量NPN型的三极管时，万用表的负端接基极，正端接集电极或发...

发布时间：2017-06-15

    新华社北京６月１４日电  美国科学家提出一种完全用碳制成运算元件的设计方案，在此基础上可能制造出更小、效率更高的新型晶体管，取代目前的硅晶体管，大大提升计算机性能。 　　由于硅基半导体发展面临瓶颈，研究人员正积极研究替代方案，例如以电子的自旋属性为基础，用石墨烯等碳材料制造集成电路的基本运算组件——逻辑门。但此前还没有人成功地使这种新型逻辑门实现有效的“级联”，即能把...

发布时间：2017-06-15

　　美国科学家提出一种完全用碳制成运算元件的设计方案，在此基础上可能制造出更小、效率更高的新型晶体管，取代目前的 硅晶体管 ，大大提升计算机性能。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 　　由于硅基半导体发展面临瓶颈，研究人员正积极研究替代方案，例如以电子的自旋属性为基础，用石墨烯等碳材料制造集成电路的基本运算组件——逻辑门。但此前还没有人成功地使这种新型逻辑门实现有...

发布时间：2016-12-07

旧金山 - 2016年十二月6日 - 于 2016国际电子组件会议（IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM）中，全球领先的奈米电子及数字技术研发与创新中心比利时微电子研究中心首度展示由硅奈米线垂直堆栈的环绕式闸极（GAA）金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFETs）的 CMOS 集成电路。关键的技术在于双功率金属闸极使...

发布时间：2016-09-06

   科技日报北京9月5日电 （记者聂翠蓉）据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。 碳纳米管管壁只有一个原子厚，是最好的导电材料之一，因而被认为是最有前景的下一代晶体管材料...

发布时间：2016-09-06

据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。 碳纳米管管壁只有一个原子厚，是最好的导电材料之一，因而被认为是最有前景的下一代晶体管材料。碳纳米管的超小空间使得它能够快速改变...

发布时间：2014-01-07

光电池-硅晶体管控制电路图 ...