发布时间：2020-09-15

单片机源程序如下: #define MAIN_Fosc 24000000L //定义主时钟 #include STC15Fxxxx.H #include T_SineTable.h #define PWM_DeadZone 12 /* 死区时钟数, 6 ~ 24之间 */ /*******...

发布时间：2020-03-09

天津大学电气自动化与信息工程学院、国网天津市电力公司经济技术研究院、国网天津客服中心的研究人员王议锋、崔玉璐、马小勇、孟准、冀睿琳，在2019年第21期《电工技术学报》上撰文，提出一种交错并联型双向并网逆变器。实验结果表明20%至满载范围内逆变器效率均高于98%。 　　随着环境污染与资源短缺等问题的日益加重，针对分布式发电领域的相关研究受到广泛关注。其中，接口电路是分布式发电系...

发布时间：2013-11-29

大家都知道， IGBT单管 相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT上去，可能开机带载就炸了。这一点很多人估计都深有体会。当时我看到做鱼机的哥们用FGH25N120AND 这个，反映很容易就烧了，当时不以为然。 只到我在工作中遇到，一定要使用 IGBT 的时候，我才发现我错了...

发布时间：2013-06-20

1 引言 H桥级联型多电平变换器采用多个功率单元串联的方法来实现高压输出，其输出多采用多电平移相式PWM控制方式，以实现较低的输出电压谐波，较小的dv/dt和共模电压及较小的转矩脉动。为实现高压，只需简单的增加单元数即可，该种实现方式的技术难度小。每个功率单元都是分离的直流电源，之间是彼此独立的，对一个单元的控制不会影响其他单元。H桥级联型逆变器与单桥逆变器的实现方式主要区...

发布时间：2012-03-13

　　1 引言 　　混合多电平逆变器的功率开关承受的电压应力不同，因此同一拓扑中可以采用不同的功率器件，充分利用了功率开关各自的优点。非对称h桥是混合多电平逆变器中最基本、最典型的一类拓扑，其半桥的功率开关可以分别工作在基频和高频pwm方式，与传统多电平逆变器相比，在输出相同电平数的情况下，减少了功率器件，降低了开关损耗［1，2］。本文首先对非对称h桥五电平逆变器进行了分析...

发布时间：2012-01-01

这几天沉下心来专门给逆变器的后级，也就是大家熟悉的H桥电路换上了IGBT管子，用来深入了解相关的特性。 大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT上去，可能开机带载就炸了。这一点很多人估计都深有体会。当时我看到做鱼机的哥们用FGH25N120AND这个，...

发布时间：2011-05-27

1 引言 　　H桥级联型多电平变换器采用多个功率单元串联的方法来实现高压输出，其输出多采用多电平移相式PWM控制方式，以实现较低的输出电压谐波，较小的dv/dt和共模电压及较小的转矩脉动。为实现高压，只需简单的增加单元数即可，该种实现方式的技术难度小。每个功率单元都是分离的直流电源，之间是彼此独立的，对一个单元的控制不会影响其他单元。H桥级联型逆变器与单桥逆变器的实现方式主...

发布时间：2011-03-21

H桥级联型多电平变换器采用多个功率单元串联的方法来实现高压输出，其输出多采用多电平移相式PWM 控制 方式，以实现较低的输出电压谐波，较小的dv/dt和共模电压及较小的转矩脉动。为实现高压，只需简单的增加单元数即可，该种实现方式的技术难度小。每个功率单元都是分离的直流 电源 ，之间是彼此独立的，对一个单元的 控制 不会影响其他单元。H桥级联型逆变器与单桥逆变器的实现方式主要区...