发布时间：2020-07-14

台积电冲刺先进制程，在2纳米研发有重大突破，已成功找到路径，将切入GAA（环绕闸极）技术，为台积电发展鳍式场效电晶体（FinFET）取得全球绝对领先地位之后，迈向另一全新的技术节点。尽管劲敌三星已早一步切入GAA，台积电仍有信心以2纳米切入GAA技术，在全球晶圆代工市场持续维持绝对领先地位。 这是台积电继去年9月正式对外宣告投入2纳米技术研发之后，在2纳米技术的重大进展，...

发布时间：2019-03-21

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出全新系列的高电压、高速闸极驱动器，适用于转换器、变频器、马达控制，以及 D 类功率放大器等应用。上述装置适用于最高 100V 的马达驱动应用，同时可支持以 200V 运作的功率转换及反转应用。这些功能使其非常...

发布时间：2017-12-14

采用系统级封装(SiP)的完整全桥电路，可节省60%的电路板空间、简化设计并精简组装。 意法半导体(STMicroelectronics，ST)的PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内整合了完整的600V/8A MOSFET全桥电路，能够为工业马达驱控制器、整流器、电源、功率转换器和逆变器厂商节省物料成本和电路板空间。 相较于采用其...

发布时间：2017-11-15

Diodes 公司推出了 DGD2136 ，这是一款完全整合的三相闸极驱动器 IC 芯片，用来在半桥配置中驱动 N 信道 MOSFET 或 IGBT。浮点高侧驱动器与靴带式运作，让 DGD2136 能够切换高达 600V；低至 2.4V 的标准逻辑位准输入，则提供简单的控制接口。这款闸极驱动器是专为 BLDC 和 PMSM 马达驱动应用 (常见于家用电器、电动与园艺工具、空调...

发布时间：2017-11-14

电子网消息，Diodes 公司推出了 DGD2136，这是一款完全整合的三相闸极驱动器 IC 芯片，用来在半桥配置中驱动 N 信道 MOSFET 或 IGBT。浮点高侧驱动器与靴带式运作，让 DGD2136 能够切换高达 600V；低至 2.4V 的标准逻辑位准输入，则提供简单的控制接口。这款闸极驱动器是专为 BLDC 和 PMSM 马达驱动应用 (常见于家用电器、电动与园艺...

发布时间：2017-05-23

 Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动化和大型家电中广泛的马达控制和电源控制器应用，用于额定超过 100 W 的 AC、DC 马达控制器板，以及 LLC 谐振转换器电源供应器拓朴。下面就随电源管理小编一起来...

发布时间：2017-05-09

Diodes 推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 IC，专门设计用于驱动半桥组态 下的两部外接 N 沟道 MOSFET。 50V 的额定值可满足各种马达驱动需求，特别是无 刷直流(BLDC)马达，这类马达越来越常用在电池供电的应用上，像是无人机、风 扇、电子烟，以及包括电钻、手持吸尘器和搅拌器等无线电动工具。 两款高频闸极驱动 IC 驱动器采用逻辑准位输...

发布时间：2017-05-09

2017 年 5 月 2 日美国德克萨斯州普莱诺– Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 ICs，专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接 N 沟道 MOSFET。50V 的额定值可满足各种马达驱动需求，特别是无刷直流 (BLDC) 马达，这类马达越来越常用在电池供电的应用上，像是无人机、风扇、电子烟，以及包括电钻、手持吸尘器和搅拌器等无线电...

发布时间：2016-12-07

旧金山 - 2016年十二月6日 - 于 2016国际电子组件会议（IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM）中，全球领先的奈米电子及数字技术研发与创新中心比利时微电子研究中心首度展示由硅奈米线垂直堆栈的环绕式闸极（GAA）金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFETs）的 CMOS 集成电路。关键的技术在于双功率金属闸极使...

发布时间：2012-06-21

    为提高下一代 逻辑元件 的先进金属 high-k  闸极堆叠 性能， IMEC 稍早前展示了具备可替换 金属闸极  (Metal-Gate-Last)电晶体的更高k (higher-k)电介质，与当前业界采用HfO2 high-k电介质的最先进逻辑元件相较，可减少200倍到1,000倍的闸极漏电流。 为满足奈米级元件对制...