III. CEDV是如何补偿EDV的?
通过上节的说明,我们可以知道对于电量计而言,固定的EDV并不能确定得到最优的运行时间。为了得到在所有的温度范围内和负载条件下,得到最优的运行时间和容量,需要进行相关的补偿运算,从而得到在瞬态的各项条件下,对应的EDV特点。而CEDV就是基于原始的EDV,并结合实际过程中的负载情况,温度条件,以及其他的相关的条件,得到的一套可以实时预估电芯电量的方法。该方法包括了对实际电芯测试数据的建模,并反馈CEDV参数给到用户,同时也包含了开发过程中电量计对周围环境和使用条件等的检测;综合以上条件,从而得到电芯的预估电量。
在CEDV开发过程中,TI有专门的CEDV参数的计算工具,具体详见
IV. 利用GPC工具获取CEDV关键参数
CEDV的开发需要7个关键参数EMF,C0,C1,R0,R1,T0,TC;而GPC工具可以通过用户的电芯充放电数据计算出这几个关键性参数,并反馈给用户。
接下来会简述如何通过测试得到这些参数。
通过官网的工具,基于几组上传的测试数据就可以得到推荐的CEDV参数,其中CEDV关注的参数有EMF,C0,C1,R0,R1,T0,TC;其对应解释如下:
– EMF, C0, C1 adjust light load curve fit
• EMF scales amplitude of no-load voltage
• C0 adjusts shape of voltage vs RSOC
• C1 performs curve shift (adds to RSOC)
– R0, R1 adjust heavy load curve fit (impedance)
• R0 scales impedance
• R1 adjusts shape of impedance vs RSOC
– T0, TC adjust temperature coefficients (impedance)
• T0 adjusts temperature variation of impedance
• TC adds additional impedance increase at cold temperature
值得补充的是,TC是在低温条件下调整模型的参数,在低温测试不准确的情况下,优先调整TC的参数是更合理的。
3. TI的CEDV电量计与IT算法电量计比较
CEDV电量计相对于IT算法的电量计,使用更加简单,也没有IT算法电量计的制作或者match CHEM ID的需求。具有较小的内存占用。但是,相对于IT算法的电量计,在低温或者老化情况下精度还是会低一些(虽然CEDV精度已经很高)。同时在生产时候,CEDV其要求测试的数据更多,需要占用更多的开发资源。