[求助] 下拉电阻

aq1261101415   2019-7-13 09:45 楼主

image.png

请问R2的位置直接放在I/O和直接放在三极管的基极和发射极(请忽略集电极的内容,我已经省略了),这有什么区别?有人说是功耗和三极管开关时间不同,这个位置有关系吗?

回复评论 (5)

我认为R2放在三极管基极与地之间比较好一点。

至于功耗和开关时间,似乎两种接法区别不大。

点赞  2019-7-13 10:17
引用: maychang 发表于 2019-7-13 10:17 我认为R2放在三极管基极与地之间比较好一点。 至于功耗和开关时间,似乎两种接法区别不大。

为什么你认为R2放在三极管基极与地之间比较好一点,理由呢?

点赞  2019-7-13 15:57
引用: aq1261101415 发表于 2019-7-13 15:57 为什么你认为R2放在三极管基极与地之间比较好一点,理由呢?

电阻R2目的是在I/O信号源高阻抗情况下,减小三极管基极电流,避免三极管误动作。

三极管是电流控制器件,集电极电流大致上与基极电流成正比。如果没有R2(开路),那么I/O处电流将全部流入基极。有了R2(接在基极与发射极之间),则在基极对发射极电压未达一定数值之前,电阻R2比基极输入电阻大很多,I/O处电流大部分流过R2,很少流入基极。只有I/O处电流达到一定数值之后,基极对发射极电压达到发射结开启电压,才有电流流入基极。

如果R2是如首帖那种接法,则该电阻避免误动作的功能大打折扣。

点赞  2019-7-13 17:34

电阻接在晶体管be之间好一些。

除了楼上已经说到的理由外,这种接法可以提高一些晶体管的关断速度。原因是:晶体管开关导通时通常总是过驱动的,因此基极会有大量的载流子存储。在输入变化到驱动晶体管截止的瞬间,这些载流子将延缓晶体管进入截止的过程。在晶体管BE之间接入一个电阻,这些载流子可以通过此电阻释放,这样就提高了晶体管的关断速度。

点赞  2019-7-13 20:02
引用: gmchen 发表于 2019-7-13 20:02 电阻接在晶体管be之间好一些。 除了楼上已经说到的理由外,这种接法可以提高一些晶体管的关断速度。原因 ...

有道理。

点赞  2019-7-16 13:42
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 京公网安备 11010802033920号
    写回复