[讨论] xps 中 寄存器读写问题

在xps工程创建过程中，我选择了ddr2作为数据、指令、堆栈空间，我添加了自己的用户自定义ip，此ip中有几个软件可读写的寄存器，我在软件c代码中通过函数写那些寄存器时，写不进去，但如果我在xmd中单步执行就可以写进去；
先前我在xps工程创建过程中，选择芯片上的Bram作为数据、指令、堆栈空间， 一切都很顺利，读写都没问题，我用的是Sparta3an Starter board，
请问选择ddr2作为数据、指令、堆栈空间，在读写软件可寻址寄存器时有什么需要注意的吗？

DDR SDRAM是双数据率同步动态随机存储器的缩写。它能够在一个时钟周期内传送两次数据，也就是说数据速率是时钟频率的两倍，可以达到很高的数据读写速度。此外它通过对地址线的分时复用，可以做到很大的容量。比如我们设计实现的DDR内存时钟频率可达到150MHz，数据速率为300MHz，容量达到1M x 72bit。
    DDR内存为了更精确的同步使用若干对差分时钟；它还有一个独特的数据脉冲信号（DQS）。DDR内存就是根据DQS来分割一个时钟周期内的两次数据。更需要注意的是：DDR内存没有一个信号是发送读或写的明确命令的，而是通过芯片的可写状态来达到读/写的目的。具体为：片选信号（CS），行地址有效信号（RAS），列地址有效信号（CAS），写允许信号（WE）。它们都是低电平有效，它们的不同组合构成了对DDR内存的不同命令。比如CS，CAS有效，RAS无效，WE无效，表示从现在地址线指示的存储单元处读出一个数据放到数据线上；再如CS，CAS有效，RAS无效，WE有效，表示将数据线上的数据写入现在地址线指示的存储单元处。
    DDR内存可以支持突发读写，并能根据不同的需要选择不同的突发长度（BL）；位宽也可以选择，并能利用掩码技术灵活的选择每次读写的有效数据宽度（以8bit为单位）；此外由于DDR内存读写时需要先激活（Active）将要读写的存储单元行，然后再读写，但DDR内存任何时候只能有一存储行是打开的（处于激活态），因此在需要读写不同存储行时，要先关闭前已打开的存储行，才能打开现在将要读写的存储单元行，这一操作被称为预充电（precharge）。另外由于DDR内存是动态存储器，需要对存储体进行周期性的刷新（refresh）。

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