[求助] PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题

对PMOS进行高频控制时出现了问题，三极管基极控制端输入5V，62.5KHZ的正弦波信号，在三极管集电极也可以测试到正弦波信号；但到了场效应管的栅极，测到的信号成了稳定的电压信号，场效应管处于半导通状态，发热严重。怀疑是场效应管结电容所致，但做为初级小弟我没有证据。哪位前辈能帮我分析分析是什么原因造成的，怎么解决，不胜感激。

“三极管基极控制端输入5V，62.5KHZ的正弦波信号，在三极管集电极也可以测试到正弦波信号”

图中文字也说是正弦波，可是画成了矩形波。

“但到了场效应管的栅极，测到的信号成了稳定的电压信号，场效应管处于半导通状态，发热严重”

电阻R16、R14还有三极管集电极输出电阻，与MOS管门极输入电容构成了低通滤波器。所以MOS管门极电压近似稳定直流。

“哪位前辈能帮我分析分析是什么原因造成的，怎么解决，不胜感激”。

我倒是想问问你：没事往Q4基极输入62.5kHz干什么？控制MOS管也不是这么个控制法。

R16阻值太大了，与R14的分压不足以拉低MOS管G极为0，MOS管处于放大区，管耗非常大。建议R16阻值为R14的十分之一左右

如果是开关电路，应去掉R16。R14和R16的分压值太高了，楼主到底想实现什么功能？

莫非楼主想用该电路输出正弦波？

纯属瞎掰，让MOS死的更快

非常抱歉，这里是我写错了，应该是方波，62.5K方波用于充电控制，这里只截取了一部分图纸

这个电路用于充电控制，这里只截取了一部分图纸。请问这种现象有什么解决方法吗

非常抱歉，这里是我写错了，应该是方波，充电芯片输出的控制信号，通过PWM控制场管开关实现恒流充电

输入电压30V，场管Vgs最大能承受-20V，R16不能去。这个电路用于恒流充电控制，这里只截取了一部分图纸

输入电压30V，Vgs最大能承受-20V，R16的分压不能太小。我今天把两个电阻同时减小试试。

充电控制，应该是控制充电电流。要控制充电电流，可以使用PWM控制，实际上就是一个近似可控恒流输出的开关电源。

62.5kHz，这个频率不算很低。要控制MOS管输出矩形波，驱动必须保证MOS管充分导通和关断，这不是件非常简单的事情。靠R14、R16这么大电阻，不现实。即使是电阻降低到数百欧，MOS管中电流上升和下降沿都不够陡峭。

62.5kHz，周期为16us。留给上升沿和下降沿的时间大致上只有1～2us，即MOS管必须在1～2us时间内从关断进入充份导通或者从充份导通进入关断。

是通过调节PWM脉宽来实现恒流充电。我把两个电阻同时减小再试试

看场管资料，td（on），tr，td（off），tf都不到100ns，这个是否意味着场管可以在200ns以内打开或关闭？

在1～2us时间内导通或者关断，意味着在1～2us时间内将MOS管门极输入电容充电或者放电。

我没有查IRF4905手册，估计该管门极输入电荷需要5～20nC。如果是1us完成充电或者放电，平均电流将是5nC/1us＝5mA或者20nC/1us＝20mA。而你的放电电流充其量不过5V/51kΩ＝0.1mA。

要想关断和导通迅速，必须加大充电放电电流。

为此，应该用三极管直接驱动MOS管门极，至多串联几十欧电阻。具体方式，请参考开关电源控制芯片内部电路。

另外，MOS管输出处应该加入电感电容滤波电路，并且加入续流二极管。具体做法，参考Buck电路。

可以在200ns内打开或者关闭。但你必须注意到测试条件，尤其是门极驱动信号形状和驱动信号内阻。