[分享] 更小更可靠 65V GaN技术让雷达越发强大

雷达设备不仅在各国国防部门的安全防卫工作中占据重要地位，同样在商业领域，例如空中交通、海上运输、气象监测和飞机防撞系统上也有很广泛的应用。目前，对雷达的设计在需求方面也是越来越小型化，并且能可靠地满足了 IFF 和 DME 应用的目标参数。

针对雷达小型化，可靠性方面的需求，65V 工作电压 GaN 技术实现了上述目标，即缩减外型尺寸、减少运营成本以及降低RF前端复杂度。下面就来了解一下65V  GaN 技术吧。

RF 技术在雷达中的作用

GaN 因其在L波段和以上频段，以及最近在 UHF 频段带来的高增益和高功率水平而迅速获得众多应用的青睐。

GaN HEMT 晶体管通常在碳化硅（SiC）衬底上生产；碳化硅衬底具有出色的散热性能，可保持长期可靠性。

碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）工艺非常适合高功率脉冲应用，其功率密度可实现最佳冷却效果。

由于出色的功率密度，每瓦的输出电容更低。这样可以在输出端进行高效率的谐波调谐，通常在千瓦（kW）级功率水平保持 70% 至 80% 以上。

为何采用高电压 65V GaN？

市场需要高达数百、数千瓦的功率放大。在千瓦范围内，典型的功率放大通过组合多个固态功率晶体管或使用基管的解决方案来实现。

65V GaN 技术的优势

GaN从一开始就提供了比硅基 LDMOS 解决方案更高的电场强度。同 LDMOS 相比，对于给定的导通电阻和击穿电压，其更高的电子迁移率可实现更小的外形尺寸。65V GaN-on-SiC 的特性如下：

更高的功率密度——减少晶体管数量并缩减整体组件的尺寸

更低的功耗——降低系统级电流损耗及对电源的需求

更简单的匹配能力——在保持可用输出阻抗的同时提升输出功率。

当今的雷达系统出于多种原因而越来越多地使用 GaN-on-SiC  RF 晶体管技术，包括更高的功率、更卓越的效率、更优异的耐用性、更低的功耗、更小的尺寸、更强的频率可用性、更高的信道温度，以及更长的使用寿命。这些优势集中在一起，全面提升了雷达系统的性能。

雷达应用正以指数级增长，持续服务于军事和商业领域。好雷达需要搭配好的芯片，如果您想了解雷达设计上相关65V GaN芯片信息，请点击阅读原文。