[分享] 解决5G挑战关键技术之GaN详解

今年是5G元年，因此今年我们也正式进入了5G时代。与4G相比，5G频率比较高，因此为了实现相同的网络覆盖，5G基站的数量需要达到4G的三到五倍。由于5G这样的应用需求，使得相关射频器件面临了新的挑战。 

5G基站面临的挑战： 

由于5G基站不仅要满足高速率、大容量、广覆盖、低延时等要求，同时还要满足低功耗，低成本等要求，这就让5G基站不得不面对功耗，覆盖，成本以及杀手级应用市场在短期内还难以解决等难题。 

射频器件面临的挑战： 

要满足高功率密度，高效率和大带宽等性能。

 GaN完美解决5G挑战 

与其他材料相比，在相同的 EIRP 的情况下，GaN在功耗，系统成本甚至设计复杂度等方面都有着其他材料无可比拟的优势。

GaN在5G方面的优势 

GaN 材料可以实现更小尺寸，更大功率的 PA，更低噪声的 LNA，更小插损的 Switch, 所以针对毫米波频段，用氮化镓来开发 FEM 就非常适用。

GaN on SiC 的优势介绍 

也能从下图中，可知其高带宽、高效和高功率特性可以帮助客户做出更小尺寸的器件，进而帮助打造更小、更简单、更轻，且成本更低的系统。

各个国家和地区对 5G 的布局，5G 网络基础设施在未来几年将会获得快速的增长，这就给相关的射频器件供应商带来了机遇。

解决5G挑战关键技术的GaN 器件在5G基站的设计中必不可少。想了解氮化镓射频器件优质供应商的详尽器件介绍。请点击阅读原文。