比如51单片机用的是5V的复位电压，12M的晶振。
是根据你的复位信号的有效脉冲的宽度来计算的电容电阻的值的，也就是说，假设，你单片机高电平复位，而高电平至少要持续10ms才有效，你就要根据这个时间来设置电容电阻的值。
就是说有什么计算公式么？比如普通的上电复位时。比如上电时高电平要维持10us,怎样计算。
引用: 引用 1 楼 peasant_lee 的回复:
是根据你的复位信号的有效脉冲的宽度来计算的电容电阻的值的，也就是说，假设，你单片机高电平复位，而高电平至少要持续10ms才有效，你就要根据这个时间来设置电容电阻的值。
他说的很对
举个例子，我后面的硬件比如用的273锁存器是复位时间5ms，那我这个复位时间也要相应调整。
我说的是大概时间
具体电路具体分析。
我用过1k电阻，100uf 电容复位。
但不同电路不同呵
可以调试时候试着更改，
这个不用那么仔细计算吧，上电复位这个东东将复位时间大于复位需最小的时间即可，还有就是你算一下充电常数RC（充电常数好像是RC），然后粗略的估计一下，没什么大不了的吧。
我给你的参考的组合值吧：
4.7K 10uF
10K 10uF
一般电容越大越稳，俺常用10-100uF，电阻常用10-47K。
假设高电平复位有效，一充一放周期是1.386*RC，舍去充放过程中较低的电平，一般的单片机复位脉冲宽度取值：（0.7~1）RC 反正都是大概的，电平保持时间越长越好，电容大点好。
单位是：（R）*（C）=(欧姆）*（法拉）＝秒
例如：R＝470K，C＝0.15UF 则延时
时间是（470*1000）*（0.15/1000000）
＝0.0705秒
电容的时间常数 结合 通交阻直的功能，这是简单的复位电路
工作中，都要求用专业复位电路
主要目的达到 CPU 指定的高/低电平 持续时长
一般要保证,首次上电时,时钟起振前,复位信号有保持有效电平.
起动快的可以用较小的时间常数,否则用大的时间常数.
如果用晶体振荡器,一般要100毫秒以上.
充放电一般都是用RC来计算，该时间只是充电到VCC的时间，但是对于复位脚，由于有一个电压的有效值，即达到该电平即来高，一般到达70%即是来高，但实际应用中，在20～60%为不定区，可能达到会在电压比较低的时间就达到，因此不能准确计算出复位时间，只是一个大至时间。
RC 时间常数，不过电阻通常在4.7K~10K间的弱下拉，防止将端口拉死。
V0 为电容上的初始电压值；
V1 为电容最终可充到或放到的电压值
Vt 为t时刻电容上的电压值
有：Vt = V0 +（V1-V0）X [1-exp(-t/RC)]
t = RC X Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]
大约估算一下就行，这块儿不用太认真
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