[分享] Qorvo 助力简化 GaN PA 偏置

Qorvo近日宣布推出 ACT41000-104-REF1，这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计，可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。

GaN 器件是耗尽型 FET，运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA 的系统中，需要以特定的顺序进行偏置：提高漏极偏置电压之前，必须施加负栅极电压，以保护器件免受损坏。

Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 内置可配置性，可实现多种 GaN PA 偏置并自动校准系统。它集成了功率 MOSFET 和电流数模转换器，方便器件精准检测 PA 静态漏极电流。此设计采用电源管理，对 GaN 偏置流程进行简化。

ACT41000 可在 4.5 到 40 V 的输入电压下运行；在 4 A 电流下，可生成最高达 24 V 的稳定可调的输出电压，变化幅度为 12.5 mV。ACT41000 带有评估平台和 GUI，可帮助客户调节输出漏极电压、静态和最大漏极电流、PA 器件电流，以及电压保护、开关频率和其他功能，从而优化 GaN PA 性能。

在用户接通系统电源后，将会自动执行此流程进行自动调试，防止因为老化或剧烈温度波动造成故障，因而可降低测试难度，提升自动化水平。ACT41000 内置可配置性，可为不同市场（包括卫星通信、5G、雷达等）内的各种 Qorvo GaN PA 提供偏置。

Qorvo 可编程电源管理产品高级主管 David Briggs 表示：“Qorvo 致力于为客户和供应商简化实际解决方案的设计和测试。这款全新产品集成了 Qorvo 功率产品与 GaN 产品组合，是我们产品组合扩展计划的一部分。”

Qorvo 是应用集成产品（如 ACT41000）市场的领军企业。观看视频教程，了解 ACT41000 如何经过专门设计从而与 Qorvo 行业领先的 GaN 产品进行集成。