[求助] OTL电路分析问题

『【1】电阻R5、R6和二极管D1为什么可以保证三极管V2、V3处于微导通状态？』

二极管D1和电阻R6串联后，流过D1和R6的电流在其上的压降等于V2发射结压降加上V3发射结压降，就可以使V2V3微导通。

如果将D1和R6去掉(短路)，那么V2和V3两个基极联接在一切，显然两个三极管均处于关断状态。

D1和R6中通过的电流就是V1集电极电流，所以要用R1调整V1基极电流，使V1集电极电流恰为我们所需要的数值(静态，即无输入信号时，V2V3发射极联接处电压为电源电压的一半)，同时用R6调整这段压降，使V2V3微导通。

『【2】自举电容C2是如何自举工作的？』

就是如你所说的那样工作的。

『不要这个C2电路可以工作吗？』

把C2去掉(开路)，显然电阻R5上端电位不会随V2导通而升高，也就没有了 “自举” 。

“流过D1和R6的电流在其上的压降等于V2发射结压降加上V3发射结压降，就可以使V2V3微导通。如果将D1和R6去掉(短路)，那么V2和V3两个基极联接在一切，显然两个三极管均处于关断状态。”

【3】在静态时，没有输入Vin，如果没有D1和R6，即V2V3基极连在一起，Vcc可以通过R4、R5，给V2提供基极电流，使得V2导通，V3截止，然后经过C4和RL形成回路。为什么说V2和V3两个基极联接在一切，显然两个三极管均处于关断状态？

【4】还是不明白，为什么加上D1和R6后，使V2V3微导通。在静态时，V1是截止的状态，那么R6的下端处于悬浮状态，此时从Vcc到R5到D1到R6这条支路上是没有电流的，怎么保证V2V3处于微导通呢？

【3】在静态时，没有输入Vin，如果没有D1和R6，即V2V3基极连在一起，Vcc可以通过R4、R5，给V2提供基极电流，使得V2导通，V3截止，然后经过C4和RL形成回路。为什么说V2和V3两个基极联接在一切，显然两个三极管均处于关断状态？

要使V2微导通，V2基极至少要比V2发射极高大约0.5V(硅管)。同样要使V3微导通V3基极至少要比V3发射极低大约0.5V。那么V2和V3基极联接在一起，两个基极比两个发射极高大于0.5V，V2导通，两个基极比两个发射极低大于0.5V，V3导通。两个基极比两个发射极低不到0.5V直到两个基极比两个发射极高不到0.5V这个区间内，两个三极管必定均不导通。

【4】还是不明白，为什么加上D1和R6后，使V2V3微导通。在静态时，V1是截止的状态，那么R6的下端处于悬浮状态，此时从Vcc到R5到D1到R6这条支路上是没有电流的，怎么保证V2V3处于微导通呢？

静态时(没有输入信号)V1并非截止，而是具有一定集电极电流。该集电极电流应该使V2V3发射极对地电压大致上为电源电压的一半(这由集电极电流在R6D1R5R4上压降来确定)。静态时，因为V2V3两管发射极电压为电源电压的一半，故R1R2对该电压分压，供给V1基极一定电流，V1得以处于线性工作区(放大区)。调节R1可以改变V1基极电流，从而改变V1集电极电流，使得V2V3发射极电压改变。

怎么理解甲乙类电路的静态偏置作用，即楼主图中的D1、R6的作用？按如下思路思考：

1、先不考虑D1、R6的存在，直接短接V2、V3的基极。而V1的集电极输出电压范围在正常情况下在GND到Vcc间波动。

2、显然V1集电极电位在接近Vcc时V2导通，接近GND时V3导通，但在1/2Vcc及附近一个小区间时，V2、V3都不导通。之所以会这样，是因为晶体管的导通条件。

3、V1输出1/2Vcc时，V2若导通，则V2发射极电位要比基极电位低0.7V。而V3若导通，则V3发射极的电位要比基极电位高0.7V，可两个管子的发射极和基极却都接在一起，电位相同，显然均无法满足导通条件，故只能都处于截止态，且这个截止态不是一个电压点，而是一个电压区间。

4、明白了V2、V3有个均截止的状态，进一步分析其后果，会发现整个截止区间内负载均无电流流过，这会造成信号失真，称“交越失真”。

5、解决办法是适当提高V2基极电位同时适当降低V3基极电位，令V1输出1/2Vcc时V2和V3均能维持弱导通态。D1、R6的引入就起到了这个作用。

6、在整个信号周期内晶体管均处于导通态，这是甲类放大器的特点（V1就是）。而乙类放大器应用增加静态偏置来避免交越失真后也具有了甲类放大器的特点，故这种电路被称为“甲乙类放大器”。

【5】首贴电路中，在无输入vin，只有供电电压vcc时，最开始的工作时序是不是，vcc通过电容c2和c4以及负载RL再到地，通过这个回路对两个电容进行充电？
【6】即然c2中在初次上电后就有了电压，再当v2发射极电压升高，c2开始自举后，c2的电压会不会超过vcc的电压？另外，一般这种电路中的自举电容，它的抗共模能力是多少伏？即给它的负极最大供电是多少伏？

静态时，因为R1和R2的存在，v1还是会有基极电流，导致产生集电极电流，此时是不是已经形成了从vcc、r4、r5、d1、r6、v1的Vce，最后经过r3到地的回路？中间层层分压，又由于d1和r6的存在，保证了v2基极电压微大于发射极电压，形成了微导通？

静态时，V1存在基极电流，自然存在集电极电流，于是在R4、R5、D1、R6支路上存在电流，进而存在梯次压降，正是相应的梯次压降提供了V2、V3的偏置，使二者处于微导通态。当然，这里的梯次压降即V2、V3的基极电位是有讲究的，所以图中R6为可调电阻，用于调节V2、V3的工作点。

『首贴电路中，在无输入vin，只有供电电压vcc时，最开始的工作时序是不是，vcc通过电容c2和c4以及负载RL再到地，通过这个回路对两个电容进行充电？』

是。

充电还要经过R4，而且C2和C4充电也不是同时到达稳态。不过，这些都无关紧要，电路最终是要达到稳态的。

模拟电路不应以“时序”去理解，只能说“暂态”，即电路尚未进入稳定工作态之前的短暂状态。模拟电路中的暂态分析和稳态分析是两码事，如果你对暂态感兴趣，可以分析一下C2、C4充电过程对电路各状态的影响。事实上也确有影响，这导致了OTL电路有个固有的弊病。如果你用过OTL功放，留意的话应该会察觉到。

『即然c2中在初次上电后就有了电压，再当v2发射极电压升高，c2开始自举后，c2的电压会不会超过vcc的电压？』

C2两端电压不会超过Vcc电压，C2两端电压最多可以达到大约Vcc的一半。

但C2上端电位可以超过Vcc电位。而这正是 “自举” 之目的。没有C2，R5上端电位不会超过Vcc，所以V2距离饱和相当远。有了C2，R5上端电位可以超过Vcc，V2才有可能进入饱和，从而充分利用电源电压，输出最大功率。

关于自举电容，电路中并不存在诸如电感储能、倍压整流之类的电路的结构，所以自举电容两端的电压永远也不会超过电源电压。这里也谈不上什么抗共模能力，这是单端放大器。

理解自举电容的意义首先在于理解射随器的特性。

射随器有个特点，发射极电位与基极电位恒差约0.7V左右，对于NPN管，就是发射极电位比基极电位要低0.7V左右。对于楼主图中的OTL电路，输出级就是射随器结构，这导致一个问题——如果不用自举电路，那么就算前级加到V2基极的电位为电源电压，那输出电压也顶多是电源电压减0.7V，而若电源电压不够高，这0.7V的占比就可能比较大了。而事实上，如果没有自举电路，V2基极电位都不可能足够接近电源电压。而用上自举电路，V2的基极电位完全可以略超过电源电压，从而令V2输出能够尽量接近电源电压。

从使用效果上看，楼主不妨说说有没有自举电路，差别为何？

这里说的电容抗共模能力是指，比如，电容的耐压是25V，我们既可以用15V的电源对GND进行电容充电，也可以用30V的电源，对15V的电位处（即电容负极接15V，正极接30V），进行电容充电。那么这个电容负极的电位最高能取到多少伏特？

首帖图中电容C2充电是靠V3导通，Vcc通过R4实现的。显然该电路中C2负端最低是接地，即为零。该电容耐压只要能够承受Vcc电压即可。实际工作中C2两端电压不到Vcc的一半。

你说的这些可不是什么“共模”，共模、差模之类自有其定义，你只能尊重定义者的解释，不可自己再给出不同的解释。

至于你说的负极电位能取多少，这个太绕，概念不清，到底是器件还是电路？如果指电容的耐压选择，那么按电容实际承压峰值再留取适当余量即可。

利用D1和R6的作用，不仅仅是把V2和V3的基极隔开，使得两者基极电压不同，同时利用二极管D1，使得V2基极电压至少比V3基极电压高出0.7V，让V2形成微导通？（因为三极管V1是全程导通的，所以Vcc→R4→R5→D1→R6→R1ce→R3→GND这条支路一直存在梯度压降，保证V2基极电压通过D1高于V3基极电压0.7V）。如果是这样的话，把R6也换成是二极管（比如是D2），岂不是也可以吗？