图中未标注该电容容量,虽然C4R4等元件都标注了数值。
这是个反激开关电源,一般地说,不应该与功率MOS管并联电容。
并联电容后,可以降低MOS管关断瞬间由于变压器漏感造成的电压尖峰。但这种电压尖峰一般是用图中R4C4D2构成的电路来吸收,而不是用在MOS两端并联电容的方法来吸收。并联电容会使MOS开通瞬间产生电流尖峰。
引用: Gen_X 发表于 2022-9-22 17:44 同意:maychang观点. 这个电容一般很小,可以有效减少EMI。 带来的直接效益是:减少了DI的损坏几率和 ...
按照这种说法是人家官方的电路错了啊
引用: kal9623287 发表于 2022-9-28 09:24 按照这种说法是人家官方的电路错了啊
官方错误太正常了,芯片大厂的数据手册错误都时有发生,别说国产小厂了,你这个图纸的风格,实在是太像国产山寨货了