[讨论] 用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重，表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些...

用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重，表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善？

RF+需要输出1.7M 峰峰值200V的正弦波信号驱动压电陶瓷换能器
1.从硬件的角度，MOS的驱动要考虑MOS的驱动电平、内阻、栅极电容、驱动波形是否陡峭？还可以从哪些角度进行改善？内阻和栅极电容是选型的问题。那驱动电平和驱动波形是电路设计的问题。这个MOS用5V方波驱动是没有问题的吧！怎么使得驱动波形更接近方波而不会发生波形的失真呢？以上这些是否可以改善温升的问题？

2.从嵌入式角度，栅极驱动器是经过DDS给信号的，DDS是经过MCU控制的，因此嵌入式可以从哪些角度进行温升的改善？


3.从结构的角度，进行通风孔对流、散热片导热到外壳、加微型高速的风扇，或者加铜管、液冷？除了这些还可以进行怎样的处理？

MOS规格书：chrome-extension://ibllepbpahcoppkjjllbabhnigcbffpi/https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20171123/C114889_15114107965411137412.pdf

MOS发热严重，表面测量温度达到90℃以上

这种情况是肯定不对的

开关频率多大，太高会增加开关损耗，发热也会相应的增加

另外，可以用示波器测量一下MOS驱动上升下降沿，判断一下，开关过程时间太长是会让MOS管发热严重的

至于什么“从结构的角度”

用MOS管的，一般要增加散热的，这是基本

特别楼主的这些栅极驱动器的场合

发热有两种，一个是开关损耗，其实很多情况是这样，一个是内阻上的发热，这个就和大电流有关了

那像这种1MHZ频率输出的  怎么判断是驱动时间太长了  根据MOS波形

像这种选型MOS内阻的时候  需要考虑达到怎样的级别  还有ID

是的 不然负载达不到谐振的状态

你有更好的方法吗？

要是真的需要这么高频率而且幅度这么大的信号，你可能要搞一个电脑的水冷散热器来给元件散热了

你是怎么得出需要水冷的？

物理定律

我认为 真正原因是MOSFET处于半通状态，要么是导通电压不够大，没能全部导通，要么就是没有能关断，用示波器检查GS的电压的大小和波形，高电压时一般在12-15VDC，低电压是0，

用示波器看DS的电压就要看直流电压是多少了。DS间的波形同样是方波，这样输出才是正确的，没有接上负载时，MOSFET管是不会怎么发热的。

象振动台的功率放大器是用IRF260M的管子做输出，直流电压就是200V左右了，把功放开启后，没有输入信号，没有交流输出电压时，管子是不怎么发热的。

一个检查管子的质量有问题没有，

二个驱动级的电流足够大不，

驱动电流你是怎么测试？

MOS发热严重，表面测量温度达到90℃以上，我的理解一是管子质量问题，二是驱动电流过大，三是散热问题。

驱动电流你是怎么测试？串联万用表？还是用直流源？

MOS管的驱动电流，在G极会串联一个小电阻，有用几或十几欧姆的小电阻，用直流电压档电阻上电压，由电压可以计算驱动电流了。