SIM卡，全称为“用户识别模块”（Subscriber Identity Module），是移动通信网络中用于存储用户签约信息的智能卡。SIM卡内部包含有大规模集成电路，卡片内部存储了数字移动电话客户的信息、加密密钥等内容。当手机开机时，手机会读取SIM卡中的信息，并将其发送给网络运营商进行身份验证。验证通过后，用户即可享受网络运营商提供的各种服务。一旦SIM卡从手机拔出，除了紧急呼叫外，手机将无法享受网络运营者提供的各种服务。
由于使用手机的过程中可能会出现插拔SIM卡的操作，有可能会带来ESD损害，导致手机部分功能失效。怎么让产品稳定可靠的运行，成为我们迫切需要处理的问题，常规的ESD静电防护器件可能会影响数据的传输，造成音质失真等现象；此方案采用集成多路ESD静电二极管防护元器件，具有导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低的特性，在不影响数据传输的前提下满足IEC61000-4-2 Level 4静电放电防护需求，且做到成本最优化。
引脚配置
|
名称 |
功能描述 |
Pin |
名称 |
功能描述 |
|
|
1 |
VCC |
电源输入 |
2 |
RST |
复位信号输入 |
|
3 |
CLK |
时钟信号输入 |
4 |
GND |
地 |
|
5 |
VPP |
编程电压输入 |
6 |
IO |
串行数据输入/输出 |
按照SIM卡标准协议，SIM卡支持4种等级：Class A、Class B、Class C、Class D。其中前三类的数值符合 ISO/IEC 7816-3 [11]，根据使用和储存温度进行分类：Class A（-40 °C to +85 °C ）、Class B（-40 °C to +105 °C）、Class C（-40 °C to +125 °C），Class D是 ISO/IEC 7816-3 [11] 中规定值的进一步发展。不同等级的VCC电压不一样，如下表所示：
|
Symbol |
Minimum |
Maximum |
Unit |
Class |
|
Vcc |
4.5 |
5.5 |
V |
A |
|
Vcc |
2.7 |
3.3 |
V |
B |
|
Vcc |
1.62 |
1.98 |
V |
C |
|
Vcc |
1.1 |
1.3 |
V |
D |
应用示例
针对SIM卡的静电防护方案，我们提供三款防护器件，可选择SEUC236T5V4U 、SEUC236T5V4UB或SEUC236T5V4UC作为ESD防护器件。三款器件都为集成多路ESD静电二极管防护元件，可同时保护SIM卡的五个引脚免受静电放电(ESD)和低等级浪涌事件的冲击与干扰。
三款器件都为低电容低钳位电压ESD保护器件，封装都为SOT-23-6L，工作电压都为5V，且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 规范，在 ±15kV（空气）和 ±8kV（接触）下提供瞬变保护。客户可根据SIM卡的实际情况选择器件。
|
规格型号 |
方向 |
工作电压(V) |
IPP(A) |
钳位电压(V) |
结电容(pF) |
封装 |
|
SEUC236T5V4U |
Uni. |
5 |
4.5 |
12 |
0.6 |
SOT-23-6L |
|
SEUC236T5V4UB |
Uni. |
5 |
5.5 |
14 |
0.6 |
SOT-23-6L |
|
SEUC236T5V4UC |
Uni. |
5 |
15 |
22 |
1.5 |
SOT-23-6L |
电气特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
|
Symbol |
Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
|
|
Reverse Stand-off Voltage |
VRWM |
|
|
|
5.0 |
V |
|
Reverse Breakdown Voltage |
VBR |
IT=1mA |
6.0 |
|
|
V |
|
Reverse Leakage Current |
IR |
VRWM=5V |
|
|
1.0 |
uA |
|
Clamping Voltage |
VC |
IPP=1A; tp=8/20us |
|
9.0 |
11.0 |
V |
|
Clamping Voltage |
VC |
IPP=4.5A; tp=8/20us |
|
12.0 |
15.0 |
V |
|
Junction Capacitance |
CJ |
I/O to GND; VR=0V; f=1MHz |
|
0.6 |
1.0 |
pF |
|
Between I/O; VR=0V; f=1MHz |
|
0.3 |
0.5 |
pF |
表1 SEUC236T5V4U电气特性表
|
Parameter |
Symbol |
Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
|
Reverse Stand-off Voltage |
VRWM |
|
|
|
5.0 |
V |
|
Reverse Breakdown Voltage |
VBR |
IT=1mA |
6.0 |
|
|
V |
|
Reverse Leakage Current |
IR |
VRWM=5V |
|
|
1.0 |
uA |
|
Clamping Voltage |
VC |
IPP=1A; tp=8/20us |
|
10.0 |
12.0 |
V |
|
Clamping Voltage |
VC |
IPP=5.5A; tp=8/20us |
|
14.0 |
17.0 |
V |
|
Junction Capacitance |
CJ |
I/O to GND; VR=0V; f=1MHz |
|
0.6 |
1.0 |
pF |
|
Between I/O; VR=0V; f=1MHz |
|
0.3 |
0.5 |
pF |
表2 SEUC236T5V4UB电气特性表
|
Parameter |
Symbol |
Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
|
Reverse Stand-off Voltage |
VRWM |
|
|
|
5.0 |
V |
|
Reverse Breakdown Voltage |
VBR |
IT=1mA |
6.0. |
|
|
V |
|
Reverse Leakage Current |
IR |
VRWM=5V |
|
|
10 |
uA |
|
Clamping Voltage |
VC |
IPP=1A; tp=8/20us |
|
10.0 |
12.0 |
V |
|
Clamping Voltage |
VC |
IPP=15A; tp=8/20us |
|
22.0 |
25.0 |
V |
|
Junction Capacitance |
CJ |
I/O to GND; VR=0V; f=1MHz |
|
1.5 |
2.0 |
pF |
|
Between I/O; VR=0V; f=1MHz |
|
0.75 |
1.0 |
pF |
表3 SEUC236T5V4UB电气特性表
总结与结论
由于SIM卡在移动通信和数字经济发展中的重要作用，保护SIM卡免受ESD静电损害极为关键。ELECSUPER SEMI研发各种低电容低钳位电压的ESD保护器件，可按照客户需求性能与封装提供定制化开发服务，为各种接口提供值得信赖的保护器件。以上解决方案是保护SIM卡的优选之策，确保移动通信的正常运行。
京公网安备 11010802033920号
