[求助] 晶体管开通时的延迟效应

在晶体管饱和开关时出现的延迟问题：

1、为使场效应晶体管开关动作时，加给晶体管的基极电流是比集电极电流/放大倍数大的电流，是为了晶体管饱和Vce电压较小降低损耗；在这种情况下，基极电流即使为零，晶体管也不能立即关断，集电极电流在积蓄时间和上升时间之后才会变为0，那么集电极输出的电压是和集电极电流同时变化的；这种现象的原因是什么，是和导体内部的结构有关？

2、在这种工作状态下作为高速开关电路是存在问题的，要使得晶体管更快速的开通，一般在基极电阻上并联连接电容，这种方法通过改善晶体管内的存储电荷以逆电流的形式会引起过驱动，基极电流会出现一个向下的尖峰；有什么办法能够减小这种向下的尖峰，除在基极电阻之上并联电容的方法外还有其他方法能够减小关断延迟吗？

标题是“晶体管开通时的延迟效应”，宜改为“晶体管关断时的延迟效应”。因为待讨论的是：“在这种情况下，基极电流即使为零，晶体管也不能立即关断”。

【除在基极电阻之上并联电容的方法外还有其他方法能够减小关断延迟吗？】

原则上应该是关断时对基极施加反向电流。

通过调整并联电容的容值，可以在减小关断延迟和避免过大尖峰之间找到平衡

这个有点像之前我测那个短路时CE电压为什么不会立即升高母线电压一半，但是又有所差别，之前测那个短路后几百个us还没有恢复，而这个应该只有几us就恢复到电源电压；

而且一般在编码器信号输出集电极输出时，这种现象应该比较常见。

晶体管开通和关断是PN结的物理，可以看一下其物理的效应

PN结当外界有正向电压偏置时，载流子的扩散电流增加，形成正向电流；当外界有反向电压偏置时，形成反向饱和电流。

may老师说加个反向电压/电流，才是正解