2.2.4 异步SRAM(ASRAM)存储器接口电路设计
由于ASRAM的读写时序相对比较简单,因此一般使用SRAM作为数据的缓冲,但其成本相对SDRAM高。而且作为异步设备,ASRAM对于时钟同步的要求也不高,可以在低速下运行。ASRAM主要为8位和16位数据宽度,用户可根据需要进行选择。
ASRAM的典型电路如图2.10所示。
图2.10 ASRAM典型电路
2.2.5 Flash存储器接口电路设计
Flash可作为软嵌入式系统的程序存储空间,或者作为程序的固件空间。最常使用的是AMD公司或者Intel公司的Flash。在小容量的Flash选择上,AMD公司的Flash性价比较高,而高容量的Flash选择上,Intel公司的Flash性价比较高。
Flash同样也可以通过设置实现8位和16位的数据位宽,下面是几种典型的Flash应用。
16位模式下的(AMD)Flash连接如图2.11所示。
8位模式下的(AMD)Flash连接如图2.12所示。
8位模式下(Intel)Flash连接如图2.13所示。
图2.11 16位模式下(AMD)Flash连接
图2.12 8位模式下(AMD)Flash连接
图2.13 8位模式下(Intel)Flash连接
2.USB启动方式和枚举
上电时,内
部逻辑会检查连接到I2C总线上的EEPROM中的第一个字节(0xC0或0xC2)。如果是0xC0,就会使用EEPROM中的VID/PID/DID
来替代内部存储值;如果是0xC2,内部逻辑就会把EEPROM中的内容装入到内部RAM中;如果没有检查到EEPROM,FX2就会使用内部存储的描述
符来枚举。其缺省值是0x04B4/ 0x8613/ 0xxxyy。
当首次插入USB时,FX2会通过USB电缆自动枚举并下载固件和USB描述符表。然后FX2将再次枚举,通过下载的信息来定义设备。这两个步骤就叫做重枚举,当设备插入时它们就立即执行。
3.程序/数据存储器
(1)内部数据RAM。
FX2的内部数据RAM被分成3个不同的区域:低(LOW)128字节,高(Upper)128字节和特殊功能寄存器(SFR)空间。低128字节和高128字节是通用RAM,SFR包括FX2控制和状态寄存器。
(2)外部程序存储器和数据存储器。
FX2有
8KB片上RAM(位于0x0000~0x1FFF范围内)和512字节Scratch RAM(位于0xE000~0xE1FF)。尽管Scratch
RAM从物理上来说位于片内,但是通过固件可以把它作为外部RAM一样来寻址。FX2保留7.5KB(0xE200~0xFFFF)数据地址空间作为控制
/状态寄存器和端点缓冲器。
注意 只有数据内存空间保留,而程序内存(0xE000~0xFFFF)并不保留。
4.端点缓冲区
FX2包含3个64字节端点缓冲区和4KB可配置成不同方式的缓冲,其中3个64字节的缓冲区为EP0、EP1IN和EP1OUT。
EP0作为控制端点用,它是一个双向端点,既可为IN也可为OUT。当需要控制传输数据时,FX2固件读写EP0缓冲区,但是8个SETUP字节数据不会出现在这64字节EP0端点缓冲区中。
EP1IN
和EP1OUT使用独立的64字节缓冲区,可配置为BULK、INTERRUPT或ISOCHRONOUS传输方式,这两个端点和EP0一样只能被固件访
问。这一点与大端点缓冲区EP2、EP4、EP6和EP8不同,这4个端点缓冲区主要用来和片上或片外进行高带宽数据传输而无需固件的参与。EP2、
EP4、EP6和EP8是高带宽、大缓冲区,它们可被设置成不同的方式来适应带宽的需求。
5.外部FIFO接口
EP2、
EP4、EP6和EP8大端点缓冲区主要用来进行高速(480Mbit/s)数据传输。可以通过FIFO数据接口与外部ASIC和DSP等处理器无缝连接
来实现高速数据传输。它具有的通用接口有:Slave FIFO或GPIF(内部主)、同步或异步时钟、内部或外部时钟等。
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