[讨论] 有关根据规范书测试条件进行MOS管的自测试技巧！欢迎大家补充！

qwqwqw2088 2012-9-5 23:34 楼主

作为一个模拟电路设计者来说，有时对MOS管在选用和比对的过程中经常会遇到测试的问题。有时看着MOS管规范书上的术语和测试条件，有时感觉无从下手。
现在就MOS管自测试的2个项目，供大家参考！抛砖引玉，欢迎网友们进行补充。

[ 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2012-9-5 23:48 编辑 ]

回复评论（6）

沙发 qwqwqw2088

VGS(TH)的测试：Gate Threshold Voltage。测试条件：VDS=VGS, ID=50uA，结果：1.2V----2V。. Q) @5 S* N# r8 l
一般MOS管的规范书，给出的这个测试条件是datasheet上的语言，要首先翻译成测试语言才能进行测试，测试条件：VDS=VGS, ID=50uA，结果：1.2V----2V”翻译成测试语言就是“把D和G端短接，S接地，在D端加一个低于1.2V的电压，然后采用递增的方式，将电压逐步升高(比如0.05V步进)，每变化一个步进，同步检测D端电流，当Id大于50uA时，此时的电压就是VGS(TH)。

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板凳 qwqwqw2088

BVdss测试：BVDSS测试，BVdss就是Drain-Source Breakdown Voltage的意思，测试的是管芯的压电压。BVdss：是源漏击穿电压，使用的时候注意不要超过这个电压。在选购的时候需要注意的是，通常BVdss越大，沟道的电阻也大，所以不要选远远超过你要求的，不然你的功耗会浪费掉。
我们先看看一般规范书关于它的测试条件，：“VGS=0V, ID=1mA，结果：MIN： 650V”* ，不管单侧mos管，还是测试ic中集成的三极管/mos管。
这个测试方法和上面的一样，具体翻译成测试语言就是“把S和G端接地，在D端加一个低于650V的电压，然后采用递增的方式，将电压逐步升高(比如5V步进)，每变化一个步进，同步检测D端电流，当Id大于1mA时，此时的电压就是BVDSS。”
BVDSS一般测试两次，而且两次是接着测试的，很多人有不明白了，为何要连着测试两次呢？)L测试两次是为了防止误测，所以测试两侧的条件不一样，请大家看看：
BVDSS1：VGS=0V, ID=1mA MIN：650
BVDSS2：VGS=0V, ID=1.5mA MIN：650
两项测试唯一不同的就是判断条件一个为1mA，一个为1.5mA1 ，其实这样写，我们就可以知道，当电压达到PN节的耐压值得时候，ID绝对大于1.5 mA，由于电压达到耐压值得时候，电流是突变的，所以真实的ID可能是几百毫安！！！
所以不管用1mA还是1.5mA判断，最终测得的耐压值都是一样的。如果两次测得耐压值不同，或者相差在规定范围之外，就认为两次中有一次误测！！！！
一般器件达到耐压值之后，id会迅速升高，大的可以达到几百毫安，时间长了会烧坏芯片，如何控制电流和时间，需要看具体应用。

如何根据mos管规范书进行测试.pdf (261.8 KB)
(下载次数: 55, 2012-9-7 20:57 上传)

[ 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2012-9-7 20:57 编辑 ]

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