[讨论] DCDC使用的MOSFET一般会在Gate串联的小电阻是做什么用的？

下图红框所示，在NMOS的gate会串联一个小电阻，这个小电阻是做什么用的呢？

减少振铃的吧，应该还要反向并联一个肖特基二极管，加快栅极的放电。

这个是MOS管的G极驱动电阻，一般是尽量小，根据不同的管子选取一般在10-100欧之间当这个比较大时，驱动就有点力不从心了，由于MOS管的米勒效应，驱动电压上升很缓慢

[ 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2013-11-5 15:25 编辑 ]

防止在对栅极电容充电时电流过大

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我也觉得应该是减小栅极充电电流

加快充放电速度

介绍一下有人做过这样的仿真试验
通常驱动器和MOS的G极之间，会串一个电阻，就如下图的R3

这个驱动电阻的作用，如果驱动走线很长，驱动电阻可以对走线电感和MOS结电容引起的震荡起阻尼作用，另外的重要作用就是调解驱动器的驱动能力，调节开关速度。当然只能降低驱动能力，而不能提高。

红色波形为R3=1欧姆，绿色为R3=100欧姆。可以看到，当R3比较大时，驱动电压上升很缓慢。
下面是是驱动的下降沿

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10-100阻值就比较大了。如果这个电阻太大，上管开启和关闭都会变慢，最糟糕的情况是上管还没关闭，下管打开了，就出现了交越导通。
其实这么一看，跟开关频率关系挺大的。

[ 本帖最后由 wstt 于 2013-11-6 23:41 编辑 ]

回复 6楼machinnneee 的帖子

应该是相反的，相当于是一个RC电路。

[转]

回复【4楼】bbssr  
回复【楼主位】ngzhang 兽哥
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1  栅极串电阻，为了减小mosfet的 di/dt   emi一般是在这个电阻上反向并联二极管
2  mosfet驱动一般是图腾式的，可以保证关断速度，gs间加电阻是为了在无驱动时保证管子的安全（若是没有这个电阻，干扰信号就可能导致mosfet误导通，对半桥 全桥、同步buck电路会“直通” 炸管子）
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关于2我明白了。但是措施2真的有必要吗？例如凌特或者UPI什么的驱动芯片来说。
关于1，这是否相当于增大了MOS管的Rg？这会让管子开启速度变慢，开启过程中的功耗损失会增加呀。我觉得加它很没道理呀。

发表于 2010-10-14 03:45:51 |只看该作者
关于2我明白了。但是措施2真的有必要吗？例如凌特或者UPI什么的驱动芯片来说。
关于1，这是否相当于增大了MOS管的Rg？这会让管子开启速度变慢，开启过程中的功耗损失会增加呀。我觉得加它很没道理呀。
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理论上是这样，但是实际用要加，管子的开关斜率是要控制的，这个电阻就是控制斜率用。斜率太高栅极振荡或者EMI EMC之类的问题都会很困扰，尽量小栅驱内阻大的话可以加个小点的例如1R，用0R的话就是栅驱内阻太大，应该换个电流大点的栅驱然后再调整合适的斜率（如果0R+栅驱内阻刚刚好的话就没话说了~）。


表于 2010-10-14 08:34:07 |只看该作者
消除驱动线路带来的电感。不加驱动可能引起驱动型号振铃，MOS功耗会增大。另一方面这个电阻的取值会影响驱动型号斜率，电阻大一些斜率小一点，带来的电压尖峰会小一点对EMI有帮助，不过开关损耗会大一点。实际中需要综合各方因素来选择匹配。

发表于 2011-3-28 16:19:17 |只看该作者
阻尼振铃和抑制di/dt。前者降低损耗，后者降低EMI。

回复 7楼qwqwqw2088 的帖子

仿真是理想情况，并且，加的电阻也是理想电阻。有时候不能单相信仿真，因为仿真时给的条件不可能和实际一样。

如果你加个开关变压器，再仿真一下看看。

[ 本帖最后由 dontium 于 2013-11-7 00:42 编辑 ]