[讨论] 砷化镓

（gallium arsenide）化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在 600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作 半导体材料，性能比硅更优良。它的禁带宽度大，电子迁移率高，介电常数 小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，能带结构特殊，具有双能谷导带， 可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集 成电路等，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中。 用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料缺陷较多，集成规模受到限制，成本较高。GaAs集成电路可分为模拟集成电路如单片微波集成电路和数字集成电路两类。前者主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信等领域，后者主要用于超高速计算机及光纤通信等系统。