[讨论] N MOS在源漏之间产生的负电压尖峰对MOS管的损坏是否有影响

请问下，大家有人知道不，N MOS在源漏之间产生的负电压尖峰对MOS管的损坏有没有影响？

既然说到“损坏”，想必是功率管。
功率N沟MOS管，由于制造工艺，源极和漏极之间存在一个二极管，故对该管施加反向电压时二极管导通，自动将反向电压限制在很小的幅度(二极管正向压降)。只要反向电压内阻不是很小(造成很大电流，超过额定值)，该管不会损坏。

要看用的MOS管的最大耐压值，，尖峰对MOS管损坏要根据该管的datasheet，，

MOS其实是一个工作起来很坚强的器件，它的主要脆弱之处在于温度过高内阻过大，最容易损坏。另外就是电压，特别是对NMOS管，在低于击穿电压附件，在加在比较低的栅极电压时或在管子开启的瞬间，管子很容易出现损坏烧毁，，

一般情况下，这个负压的功率会很小的。因为正常工作时，有用的、绝大多数的功率是在“正”压时传递的。那么，对于可以传递较大功率的器件，承受点很小功率也是没有问题的。------- 因为它有个寄生二极管。

同意

超过VDss当然有影响，雪崩损坏