引用: rjqsd 发表于 2017-4-26 09:26
还需要指出一点：损耗既是热。MOSFET本质还是半导体，半导体有结温这个问题，如果MOSFET的温度超过结温，就 ...

引用: rjqsd 发表于 2017-4-26 09:19
Vgs(th)是G极相对于S极的门槛电压。楼主问，为什么不能用一个电平代替，其实是没有弄清楚门极这个电压的建 ...

引用: maychang 发表于 2017-4-26 10:16
对我们使用者来说，用MOS管全靠“Absolute Maximam Ratings”和“Electrical Characteristics”。前者是 ...

引用: 平漂流 发表于 2017-4-26 10:54
我们调试电路板的时候，对比Electrical Characteristics所给出的条件，然后根据自己设计的电路的参数，二 ...

引用: maychang 发表于 2017-4-26 11:14
不很明白你这句话。
“调试电路板”时，元器件已经确定，工作状态也已经确定，并且焊接完毕，操作者只要 ...

引用: rjqsd 发表于 2017-4-26 09:00
1. MOSFET是电压驱动型，门极有个高于Vgs(th)的电平就可以开通。

引用: 平漂流 发表于 2017-4-26 10:46
就是说驱动电路要与MOS管的D,S构成一个回路。通过对DS之间的电容充放电，来控制MOS管的开通关断，对吗？

引用: 平漂流 发表于 2017-4-26 14:46
MOS管是电压驱动型，可是为什么我看到文献里面都说到“控制信号的电流驱动能力很弱，不足以驱动MOS管开通 ...