[讨论] 过冲电流如何避免

zwb4835   2017-7-19 17:08 楼主
如图所示,在接通负载的瞬间会出现一个很大的过冲电流,如何避免这个过冲电流呢
805925644.jpg

回复评论 (24)

应该是MOS管的输入电容引起的过冲
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引用: zwb4835 发表于 2017-7-19 17:10
应该是MOS管的输入电容引起的过冲

“应该是MOS管的输入电容引起的过冲”
不是。
你去掉C12试试看。
点赞  2017-7-19 18:13
如果只是不想单片机因为这个过冲电流误检,多检测几次就行,硬件怕击坏的话,器件的耐压耐流选择好就行
点赞  2017-7-19 19:03
引用: maychang 发表于 2017-7-19 18:13
“应该是MOS管的输入电容引起的过冲”
不是。
你去掉C12试试看。

C12影响不大,去掉也是一样有过冲
点赞  2017-7-19 19:58
引用: kiroking 发表于 2017-7-19 19:03
如果只是不想单片机因为这个过冲电流误检,多检测几次就行,硬件怕击坏的话,器件的耐压耐流选择好就行

我的负载是一个导通的极电集电流为50-1000mA的三极管,如果过冲电流过大则会烧坏三极管
点赞  2017-7-19 20:00
在r12上并联一个tvs 或者并联两个串联的二极管 钳位一下
点赞  2017-7-19 20:13
引用: gcxzhz 发表于 2017-7-19 20:13
在r12上并联一个tvs 或者并联两个串联的二极管 钳位一下

这样只是限制了P1点的电压,但过冲电流依然存在
点赞  2017-7-20 08:07
这是因在开关S1合上之前,运放处于倒向最高输出电压的一边,恢复到放大状态需要时间造成的。
可改下开关的位置试试:
因30V电压太高,用方案 ① 时可能需要做下嵌位(根据情况可能许将R11分成两个);
方案 ② 简单些,但缺点是S1短路时FET管要承受最大功率,需算下可行性。
  • 4.png
点赞  2017-7-20 09:33
引用: 仙猫 发表于 2017-7-20 09:33
这是因在开关S1合上之前,运放处于倒向最高输出电压的一边,恢复到放大状态需要时间造成的。
可改下开关的 ...

但是我的负载只能是像我图中那样接入,接入方式不能变
点赞  2017-7-20 09:37
可以加热敏电阻!
点赞  2017-7-20 11:42
已找到解决方法,如下图,欢迎拍砖 1111.PNG

点赞  2017-7-20 16:58
引用: zwb4835 发表于 2017-7-20 16:58
已找到解决方法,如下图,欢迎拍砖

“已找到解决方法,如下图,欢迎拍砖”
这个电路,动作未免太慢了些。
点赞  2017-7-20 17:28
引用: maychang 发表于 2017-7-20 17:28
“已找到解决方法,如下图,欢迎拍砖”
这个电路,动作未免太慢了些。

那怎么才能更快呢
点赞  2017-7-20 17:30
引用: zwb4835 发表于 2017-7-20 17:30
那怎么才能更快呢

从12楼图R11右端向左看过去,这是一个积分电路,是不是?图中未标注C12容量,但可以肯定:C12容量越大,该电路动作越慢。
12楼图中,R10电阻值为1千欧。该电阻与MOS管输入电容(包括密勒电容)也构成近似积分电路(应该说是一阶低通)。显然,R10数值越大,该电路动作速度越慢。
以上是开关S1早已闭合多时,IC2A和MOS管线性工作的分析。
点赞  2017-7-20 18:07
引用: zwb4835 发表于 2017-7-20 17:30
那怎么才能更快呢

加入IC2B、D1、C1、R1、Q2,目的是开关S1未闭合时,IC2B反相输入端电位高于同相输入端电位,IC2B输出为高,通过D1为C1充电,Q2导通。Q2导通将MOS管G、S短路,故MOS管G极不会存储电荷。
但开关S1闭合后,MOS管漏极电位升高,IC2B翻转,D1截止,C1却仍然要通过R1对Q2发射结放电,使MOS管中电流不能迅速增加。这也是一种“慢”。
点赞  2017-7-20 18:14
不用绕远路了,有种片子叫负载开关,基本上都带电流限制功能,有些限制阈值还是可调节的你这个其实还好,我之前做过一个电池供电的系统,系统里有个需要断电的模块里有200uf的电容,只要给这个模块通电,电池电压马上被电容的充电电流拉低,整个系统都会reset 本帖最后由 LeoMe 于 2017-7-21 08:55 编辑
点赞  2017-7-21 08:53
引用: maychang 发表于 2017-7-20 18:14
加入IC2B、D1、C1、R1、Q2,目的是开关S1未闭合时,IC2B反相输入端电位高于同相输入端电位,IC2B输出为高 ...

我仿真时R11R10均为0,C12取消,但过冲也是存在的,如果要使电路快起来,要采取什么措施呢
点赞  2017-7-21 09:31
引用: LeoMe 发表于 2017-7-21 08:53
不用绕远路了,有种片子叫负载开关,基本上都带电流限制功能,有些限制阈值还是可调节的你这个其实还好,我 ...

那这种片子应该贵吧,有推荐型号吗
点赞  2017-7-21 09:31
引用: zwb4835 发表于 2017-7-21 09:31
我仿真时R11R10均为0,C12取消,但过冲也是存在的,如果要使电路快起来,要采取什么措施呢

“我仿真时R11R10均为0,C12取消,但过冲也是存在的”
2楼你自己已经说过:“应该是MOS管的输入电容引起的过冲”,这是对的,即开关S1闭合之前MOS管DS之间电容已经充电到可能达到的最大值。但另有一个原因使得S1闭合时电流过冲,那就是开关S1闭合之前运放是处于饱和,而运放退出饱和是相当慢的(延迟可达数毫秒甚至更多)。
点赞  2017-7-21 10:38
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