去掉三极管可以，但要求前级驱动电压满足MOS管的开启电压要求，而且驱动逻辑也变成了高有效。
上传了一些书籍资料，也许有你想要的：https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
上传了一些书籍资料，也许有你想要的：https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
可以去掉三極管,可是要算一下消耗功率,如果電流比較高,可能1秒內就燒穿了,另外電磁閥關閉會產生倍壓的逆向電壓,如果耐壓不夠高,也是很快就崩潰了
去掉三极管，需要考虑两点：一是驱动信号(P21)方向改变，成为高电平有效；二是P21信号电平是否满足MOS管输入幅度要求。
“如果耐壓不夠高,也是很快就崩潰了，”
电磁阀崩溃这个与前面的三极管关系不大
用这个三极管设计者应该还是考虑的保护MOS和单片机
说明一下MOS的型号 查看驱动电压是否满足要求
对于这种开关频率要求不高场合 IO直驱低压MOS也是可以的 只不过不太牢靠 当出现烧MOS的情况时 IO也就跟着烧了 加一个三极管起到保护作用 频率较高时对于驱动电流也就有所要求了 直驱mos就很可能烧坏IO了
京公网安备 11010802033920号
