[求助] MOS和IGBT的最大连续耗散功率（PD）问题

1、mos和IGBT的最大连续耗散功率（PD）和开关损耗有区别吗
2、PD是如何计算的
3、PD的意义体现在哪里以及PD与Rja,Rjb,Rjc的联系是什么。
感谢论坛朋友帮助。

1、mos和IGBT的最大连续耗散功率（PD）和开关损耗有区别吗

没有区别，都是允许的最大损耗。

2、PD是如何计算的

是根据允许结温、管子的热阻，在管壳温度为给定值情况下计算的。

3、PD的意义体现在哪里以及PD与Rja,Rjb,Rjc的联系是什么。

PD表示某型号管子在外壳温度保持给定值情况下能够承受的连续功率损耗。
你说的Rja，可能是指结到环境(外壳不装散热器)的热阻，Rjc可能是指结到外壳的热阻，Rjb不知道指什么。

懂了，谢谢

Rjb应该是指结到板（board）的热阻。Pd（耗散功率）乘以热阻就是对应两点之间的温差（比如40摄氏度，就说明结温比参考点温度高40摄氏度），用于估测结温。因为在一般用户的手上，结温一般无法直接测量，只能靠测量比如环境温度、外壳温度或PCB温度，再换算成结温。不过要主要热阻参数一般是有给定条件的，所以只能是估计，要留有足够余量。

抱歉。2楼所说“1、mos和IGBT的最大连续耗散功率（PD）和开关损耗有区别吗     没有区别，都是允许的最大损耗。“是有一点问题的。”最大连续耗散功率“是允许值，由生产厂家规定，使用时不可超过。”开关损耗“由你的电路实际工作状态(漏极电流上升时间和下降时间、负载的类型、电源电压……)决定。两个并不是一回事。但二者有共同点，即都是功率耗散，即都是转换成热的电功率。