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动态偏置的高保真功放电路(b)

功放电路 高保真 BSP 2021/08/02

123.动态偏置的<strong>高保真</strong><strong>功放电路</strong>(b).gif

动态偏置的方法很多,这里采用的方法如图2-123(b)所示o静态时,输出级偏置电
压由VTi、VTz提供,VT3通过Ⅵ丑、R3.VT4通过Ⅵ岛、R处于微导通状态,对
VTi VT2影响甚徽。当有信号到来时,在信号的正半周,因VT3的发射极对地电位随
着信号的增强而升高,VT3将由微导通状态转向全导通状态,使VTi的偏置电压变小,
其集射间电压cel增大,适当设置VTi的参数,使‘cel大于信号电压,而此时VT2仍处
于静态偏置状态,B点电位不高于静态时的电位。同理,在信号的负半周,U茁不小于信
号电压,A点电位不低于静态时的电位。
    由上述分析可知,无论是信号的正半周还是负半周,VAB总是大于信号电压,使输出
级的两臂始终不会工作在截止状态o为进一步减小交越失真,通过调节RPi可使输出级
的静态电流大干200mAo高的静态电流有利于小信号时的放大,减少动态偏置的动作,
并可减小动态偏置滞后的影响,这也是本动态偏置电路的一个特点o
    对于动态偏置电路元件的选用,VTt~VT4应选用高频低噪声小功率管,耐压大于
60V,RPi选用双连电位器,以保证调节的同步。


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