至今单片及混合功率lc几乎都不能获得满意的高频特性口如图3—31所示电路是三洋厚
膜lC STK084G的应用图，在ZOkHz以内，输出功率50w，失真率仅为0.003%o
    电路主要部分已lC化，故外加零件以大电容量电容器为主。如图3·32所示为STK084G
内部电路。输入级由VT4及VT5组成的电流镜像电路，把PNP差动放大输出变换为单端输
出，同时得到较大的增益。中间级处理大的振幅，也决定放大器转换速率，所以应尽量以大
电流驱动，VT8组成的共基极电路消除米勒效应所导致的高频特性恶化6
    VT1与VT6为恒流源偏置电路，可以抑制电源变动造成的影响。VT7则为输出三极管提
供偏置，消除基极与发射极之间电压Vbf非线性过渡区，还有温度补偿的作用。