在有过电流流过时，通过控制门极来阻断过电流（进行保护），从而使“在不破坏元件的情况下安全地实施”变得可能。

图中，一旦可控硅触发，由于可控硅不会由于门极的阻断信号等而进行自动消弧，因此IGBT不可能关断，导致因过电流而破坏元件（这被称为“电性栓锁现象”）。

IGBT中，为了防止这种“电性栓锁现象”，充分运用了以下的技术。

1）采用难以产生“电性栓锁现象”的构造（降低图1-5中基极－发射极间的电阻）。

2）通过优化n缓冲层的厚度和不纯物浓度来控制PNP晶体管的hFE。

3）通过导入降低寿命的因素来控制pnp晶体管的hFE。

通过以上的技术，IGBT在能够维持充分保护过电流（短路）的最大耐受量的基础上，实现了高速交换、高耐压、大容量化，同时得到了产品化。