LM108D放大器内部结构图（ECAD）|替代放大器|pdf资料下载-电子工程世界

对比

LM308AM

Texas Instruments

OP-AMP, 730uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOP-8
对比

OP12FZ

Rochester Electronics LLC

OP-AMP, 300 uV OFFSET-MAX, 0.8 MHz BAND WIDTH, CDIP8, MINI, HERMETIC SEALED, CERDIP-8
对比

OP12AZ

Rochester Electronics LLC

OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 0.8 MHz BAND WIDTH, CDIP8, MINI, HERMETIC SEALED, CERDIP-8
对比

OP08GZ

Rochester Electronics LLC

OP08GZ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, CERDIP-8OP08GZ的最低工作温度是，最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为...
对比

TL062IDR

Texas Instruments

增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：200uA 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V 双JFET输入运算放大器
对比

TL062IDT

STMicroelectronics

USB Interface IC USB HS to Dual UART/ FIFO/SPI/JTAG/I2C
对比

OP08AZ

Rochester Electronics LLC

OP08AZ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, CERDIP-8OP08AZ的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其...
对比

OP08EP

Rochester Electronics LLC

OP08EP是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为MINI, PLASTIC, DIP-8OP08EP的最低工作温度是，最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT S...
对比

TL062BIDT

STMicroelectronics

DUAL OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MICRO, SOP-8
对比

PM1008GZ

Rochester Electronics LLC

OP-AMP, 250uV OFFSET-MAX, 0.5MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC, CERDIP-8
对比

PM1008GP

Rochester Electronics LLC

OP-AMP, 250uV OFFSET-MAX, 0.5MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8
对比

TL062BCD

Texas Instruments

Low-Power JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
对比

TL062BCDT

STMicroelectronics

Operational Amplifiers - Op Amps ANALOG
对比

PM1008AZ

Rochester Electronics LLC

OP-AMP, 320uV OFFSET-MAX, 0.5MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC, CERDIP-8
对比

TL062ID

STMicroelectronics

Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power JFET
对比

TL062BCDR

Texas Instruments

Low-Power JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
对比

TL062CDR

Texas Instruments

增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：200uA 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V 二路低功耗 JFET 输入通用运算放大器
对比

TL062CDE4

Texas Instruments

Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
对比

TL062CD

STMicroelectronics

Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power JFET
对比

TL062IDRG4

Texas Instruments

Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
对比

TL062CDG4

Rochester Electronics LLC

DUAL OP-AMP, 20000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
对比

TL062BID

STMicroelectronics

OP-AMP
对比

TL062CDRG4

Texas Instruments

Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
对比

TL062AIDT

STMicroelectronics

DUAL OP-AMP, 7500uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MICRO, SOP-8
对比

TL062AID

STMicroelectronics

OP-AMP
对比

TL062IDG4

Texas Instruments

Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
对比

TL062BCDG4

Texas Instruments

Low-Power JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
对比

TL062CDRE4

Texas Instruments

Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
对比

LM308N

NXP Semiconductors

IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR,DIP,8PIN,PLASTIC
对比

PM108Z

Precision Monolithics Inc

Operational Amplifier, 1 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
对比

TL062BCDE4

Texas Instruments

Operational Amplifiers - Op Amps Low-Power JFET-Input Op Amp
对比

TL062BMD

STMicroelectronics

OP-AMP
对比

TL062MD

STMicroelectronics

OP-AMP
对比

TL062BCDRG4

Texas Instruments

Operational Amplifiers - Op Amps Lo-Pwr JFET-Input Op Amp
对比

LM308AN

ON Semiconductor

OP-AMP, 730 uV OFFSET-MAX, PDIP8
对比

PM208Z

Rochester Electronics LLC

OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, CDIP8, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8
对比

LM308AN8

Linear Technology

OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, PDIP8
对比

TL062BMDT

STMicroelectronics

DUAL OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MICRO, SOP-8
对比

LM308P

Texas Instruments

LM308P是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。LM308P的最低工作温度是，最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.007 µ...
对比

LM308AN8#PBF

Linear Technology

IC OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier
对比

TL062MDT

STMicroelectronics

DUAL OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MICRO, SOP-8
对比

TL062BCDRE4

Texas Instruments

DUAL OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
对比

TL062IDRE4

Texas Instruments

Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Noise JFET-Input
对比

TL062IDE4

Texas Instruments

Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Noise JFET-Input
对比

LM308ANG

ON Semiconductor

OP-AMP, PDIP8, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8
对比

TL062AMDT

STMicroelectronics

DUAL OP-AMP, 7500uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MICRO, SOP-8
对比

TL062AMD

STMicroelectronics

OP-AMP

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LM108D放大器基础信息：

LM108D是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。

LM108D放大器核心信息：

LM108D的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED

而其供电电源的范围为：+-5/+-20 V。LM108D的输入失调电压为3000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

LM108D的相关尺寸：

LM108D拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。

LM108D放大器其他信息：

LM108D采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM108D的频率补偿情况是：NO。其温度等级为：MILITARY。LM108D不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为：R-XDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为：e0。LM108D的封装代码是：DIP。LM108D封装的材料多为CERAMIC。而其封装形状为RECTANGULAR。

LM108D封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。

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自镇流LED灯性能及国内外标准要求

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