ADI(亚德诺半导体)
---
ST(意法半导体)
---
ADI(亚德诺半导体)
---
ADI(亚德诺半导体)
---
萨科微(Slkor)
---
ADI(亚德诺半导体)
---
Microchip(微芯科技)
---
ADI(亚德诺半导体)
---
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):3.5MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):3 V/us 电源电压:5V ~ 26V, ±2.5V ~ 13V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):3.5MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):3 V/us 电源电压:5V ~ 26V, ±2.5V ~ 13V 低功耗、轨到轨输出、精密JFET双路放大器
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):5MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):20 V/us 电源电压:8V ~ 36V, ±4V ~ 18V 低成本,JFET输入运算放大器
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):5MHz 放大器组数:4 运放类型:J-FET 各通道功耗:1.2mA 压摆率(SR):20 V/us 电源电压:8V ~ 36V, ±4V ~ 18V
Intersil ( Renesas )
增益带宽积(GBP):4.5MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:4mA 压摆率(SR):9 V/us 电源电压:4V ~ 36V, ±2V ~ 18V 4.5MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output
旌芯半导体(GN)
增益带宽积(GBP):4MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:2.8mA 压摆率(SR):13 V/us 电源电压:- 通用J-FET输入双运算放大器
JRC
增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:4 运放类型:J-FET 各通道功耗:250uA 压摆率(SR):3.5 V/us 电源电压:±2V ~ 18V
JRC
双JFET运算放大器
Diodes
增益带宽积(GBP):3MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):13 V/us 电源电压:10V ~ 30V, ±5V ~ 15V 低噪音
Diodes
增益带宽积(GBP):3MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):13 V/us 电源电压:10V ~ 30V, ±5V ~ 15V
科山芯创(COSINE)
运放类型:低噪声运放 放大器组数:2 增益带宽积(GBP):10MHz 压摆率(SR):7.5 V/us 电源电压:2.1V ~ 5.5V 各通道供电电流:650uA
科山芯创(COSINE)
运放类型:低噪声运放 放大器组数:2 增益带宽积(GBP):5.5MHz 压摆率(SR):3.3 V/us 电源电压:1.8V ~ 5.5V 各通道供电电流:300uA 2CH,5MHz,300uA,1.8-5.5V, RRIO OP-AMPS
科山芯创(COSINE)
运放类型:零漂移运放 放大器组数:1 增益带宽积(GBP):1.5MHz 压摆率(SR):0.9 V/us 电源电压:1.8V ~ 5.5V 各通道供电电流:55uA
麦格希尔(Microcell)
斩波稳零式高精度运放
聚辰(Giantec)
GT7041 超微功耗轨到轨输入输出运放
聚辰(Giantec)
GT7042 超微功耗轨到轨输入输出运放
聚辰(Giantec)
GT7111 高速轨到轨输入输出运放
聚辰(Giantec)
GT7112 高速轨到轨输入输出运放
聚辰(Giantec)
GT7121 高带宽轨到轨输入输出运放
聚辰(Giantec)
GT7122 高带宽轨到轨输入输出运放
聚辰(Giantec)
GT7131 低功耗,零漂移轨到轨输入输出运放
聚辰(Giantec)
GT7132 低功耗,零漂移轨到轨输入输出运放