ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):50kHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.5 V/us 电源电压:4.5V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):150kHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):1 V/us 电源电压:3.3V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):150kHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):1 V/us 电源电压:3.3V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):150kHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):1 V/us 电源电压:3.3V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:1 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):3 V/us 电源电压:5V ~ 36V, ±2.5V ~ 18V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):3MHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):15 V/us 电源电压:4.5V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):50MHz 放大器组数:2 运放类型:高速宽带运放 输入失调电压(Vos):500uV 输入偏置电流(Ib):3.3uA 单位增益带宽(-3db):50MHz 压摆率(SR):350 V/us 电源电压:5V ~ 36V 芯片 双运算放大器 运放类型: 高速 放大器数量: 2 摆率: 350V/μs 电源电压范围: 5V 至 36V 放大器封装类型: DIP 针脚数: 8 带宽: 50MHz MSL: - SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标号: 826 增益带宽: 35MHz 工作温度范围: -40°C 至 +85°C
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):50MHz 放大器组数:2 运放类型:Voltage Feedback 各通道功耗:6.6mA 压摆率(SR):350 V/us 电源电压:5V ~ 36V, ±2.5V ~ 18V 高速、低功耗双运算放大器
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):1.4 V/us 电源电压:2V ~ 36V, ±2V ~ 18V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):1.4 V/us 电源电压:2V ~ 36V, ±2V ~ 18V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):500Hz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Instrumentation 各通道功耗:- 压摆率(SR):- 电源电压:1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):85MHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):360 V/us 电源电压:8V ~ 33V, ±4V ~ 16.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):85MHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):360 V/us 电源电压:8V ~ 33V, ±4V ~ 16.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):750MHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Variable Gain 各通道功耗:- 压摆率(SR):5750 V/us 电源电压:3V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):60MHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):300 V/us 电源电压:10V ~ 24V, ±5V ~ 12V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):250kHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Current Sense 各通道功耗:- 压摆率(SR):1 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):2.2MHz(-3dB) 放大器组数:1 运放类型:Instrumentation 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.8 V/us 电源电压:3.6V ~ 36V, ±1.8V ~ 18V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:Instrumentation 各通道功耗:350uA 压摆率(SR):0.6 V/us 电源电压:2.2V ~ 36V, ±1.35V ~ 18V 宽电源电压范围、轨到轨输出仪表放大器
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1MHz(-3dB) 放大器组数:2 运放类型:Instrumentation 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.6 V/us 电源电压:2.2V ~ 36V, ±1.35V ~ 18V
ADI(亚德诺半导体)
输出类型:Complementary, LVDS, Rail-to-Rail 各通道功耗:3mA 传播延迟:3ns 比较器组数:1 电源电压:2.5V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):8MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):2.9 V/us 电源电压:2.7V ~ 12V, ±1.35V ~ 6V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):8MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):2.9 V/us 电源电压:2.7V ~ 12V, ±1.35V ~ 6V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):3MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):5 V/us 电源电压:2.7V ~ 6V, ±1.35V ~ 3V LowCost,250mAOutput,Single-SupplyAmplifiers
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):430kHz 放大器组数:1 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.4 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):430kHz 放大器组数:2 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.4 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:45uA 压摆率(SR):0.92 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V 通用型CMOS四路轨到轨放大器
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.92 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V ICOPAMPGP1MHZRRO14SOIC
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1.5MHz 放大器组数:2 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:850uA 压摆率(SR):0.4 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V 零漂移、单电源RRIO双通道运算放大器
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1.5MHz 放大器组数:4 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.4 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V
ADI(亚德诺半导体)
增益带宽积(GBP):1.5MHz 放大器组数:4 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.4 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V