ADI(亚德诺半导体)

放大器芯片 零漂移 可变增益 放大器数目：1 带宽：1.5MHz 电源电压范围：2.7V 至 5.5V 放大器封装类型：SOIC 针脚数：8 通道数：1 轨至轨输入/输出类型：轨至轨输入/输出 工作温度最小值：-40°C 工作温度最高值：125°C MSL：MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质)：No SVHC (20-Jun-2013) 增益带宽：8MHz 工作温度范围：-40°C 至 +125°C 放大器类型：可编程增益 最大增益：1210dB 电源电压最大值：5.5V 电源电压最小值：2.7V 输入偏移电压 最大：10μV 额定电源电压：+5.5V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：1 运放类型：Zero-Drift 各通道功耗：- 压摆率（SR）：0.4 V/us 电源电压：2.7V ~ 5.5V ICOPAMPCHOPPER1.5MHZ8SOIC

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：2 运放类型：Zero-Drift 各通道功耗：850uA 压摆率（SR）：0.4 V/us 电源电压：2.7V ~ 5.5V Zero-Drift, Single-Supply, Rail-to-Rail Input/Output Operational Amplifiers

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：3MHz 放大器组数：1 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：5 V/us 电源电压：2.5V ~ 6V, ±1.25V ~ 3V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：10MHz 放大器组数：1 运放类型：CMOS 各通道功耗：- 压摆率（SR）：5 V/us 电源电压：2.7V ~ 5.5V 轨对轨运算放大器

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：400kHz 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：40uA 压摆率（SR）：0.1 V/us 电源电压：1.8V ~ 5V, ±0.9V ~ 2.5V adi的低功耗运放

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：- 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：0.1 V/us 电源电压：1.8V ~ 5V, ±0.9V ~ 2.5V

ADI(亚德诺半导体)

输出类型：Complementary, TTL 各通道功耗：10mA, 4mA 传播延迟：5.5ns 比较器组数：1 电源电压：3V ~ 5V

ADI(亚德诺半导体)

输出类型：Complementary, TTL 各通道功耗：10mA, 4mA 传播延迟：5.5ns 比较器组数：2 电源电压：3V ~ 5V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：400kHz 放大器组数：1 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：0.1 V/us 电源电压：1.8V ~ 5V, ±0.9V ~ 2.5V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：2.5MHz 放大器组数：2 运放类型：Zero-Drift 各通道功耗：850uA 压摆率（SR）：1 V/us 电源电压：2.7V ~ 5V, ±1.35V ~ 2.5V 零漂移、单电源、轨到轨输入/输出运算放大器

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：2.5MHz 放大器组数：2 运放类型：Zero-Drift 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1 V/us 电源电压：2.7V ~ 5V, ±1.35V ~ 2.5V 零漂移、单电源、轨到轨输入/输出运算放大器

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：2.5MHz 放大器组数：2 运放类型：Zero-Drift 各通道功耗：850uA 压摆率（SR）：1 V/us 电源电压：2.7V ~ 5V, ±1.35V ~ 2.5V Zero-Drift, Single-Supply, Rail-to-Rail Input/Output Operational Amplifier

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：2.5MHz 放大器组数：4 运放类型：Zero-Drift 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1 V/us 电源电压：2.7V ~ 5V, ±1.35V ~ 2.5V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：2.5MHz 放大器组数：4 运放类型：Zero-Drift 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1 V/us 电源电压：2.7V ~ 5V, ±1.35V ~ 2.5V ICOPAMPZRO-DRFT2.5MHZ14TSSOP

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：2 运放类型：Zero-Drift 各通道功耗：- 压摆率（SR）：2 V/us 电源电压：5V ~ 16V, ±2.5V ~ 8V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：3.5MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3 V/us 电源电压：5V ~ 26V, ±2.5V ~ 13V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：3.5MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3 V/us 电源电压：5V ~ 26V, ±2.5V ~ 13V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：3.5MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3 V/us 电源电压：5V ~ 26V, ±2.5V ~ 13V 低功耗、轨到轨输出、精密JFET双路放大器

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：50MHz 放大器组数：1 运放类型：Voltage Feedback 各通道功耗：- 压摆率（SR）：41 V/us 电源电压：2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：50MHz 放大器组数：1 运放类型：Voltage Feedback 各通道功耗：- 压摆率（SR）：41 V/us 电源电压：2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：50MHz 放大器组数：1 运放类型：Voltage Feedback 各通道功耗：- 压摆率（SR）：41 V/us 电源电压：2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：4MHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：5V ~ 16V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：4MHz 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：5V ~ 16V, ±2.5V ~ 8V 5-16V轨对轨输出 4MHz

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：540kHz 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：0.3 V/us 电源电压：5V ~ 16V, ±2.5V ~ 8V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：4MHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：5V ~ 16V, ±2.5V ~ 8V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：540kHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：0.3 V/us 电源电压：5V ~ 16V, ±2.5V ~ 8V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：10MHz 放大器组数：1 运放类型：General Purpose 各通道功耗：3mA 压摆率（SR）：4 V/us 电源电压：10V ~ 36V, ±5V ~ 18V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：3.5MHz 放大器组数：4 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：9 V/us 电源电压：9V ~ 36V, ±4.5V ~ 18V

ADI(亚德诺半导体)

增益带宽积（GBP）：3.5MHz 放大器组数：4 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：9 V/us 电源电压：9V ~ 36V, ±4.5V ~ 18V