TE Connectivity(泰科)
针脚数:8 间距:0.100"(2.54mm) 类型:DIP 用于 IC 的插座,晶体管 8(2 x 4)位
PHOENIX CONTACT
晶体管输出光电耦合器 st-oe3 24dc/24dc/500
长电科技(JCET)
PNP晶体管
Diodes
额定功率:150mW 集电极电流Ic:150mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-50V,Ic=150mA
Diodes Incorporated
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor SOT89 T&R 1K
Diodes
额定功率:1W 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:PNP PNP,32V,2A
Diodes
额定功率:1W 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:PNP
Diodes
额定功率:300mW 集电极电流Ic:1A 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-30V,Ic=-1A
Diodes
额定功率:900mW 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:PNP
Diodes
额定功率:1W 集电极电流Ic:1A 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:NPN TRANSNPN32V1ASOT89-3
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
先科(ST)
额定功率:625mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:NPN
ST(意法半导体)
NPN型晶体管型号:2N2222,V=30V,I=800MA,封装:TO18
蓝箭(BLUE ROCKET)
额定功率:625mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Microsemi
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)