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GD25Q32ESIGR

FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb(4M x 8) SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-SOP

产品类别:半导体    存储器   

制造商:兆易创新(GigaDevice)

官网地址:http://www.gigadevice.com

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GD25Q32ESIGR概述
GD25Q32ESIGR(32M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI)和双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据以266Mbit/s的速度传输,四I/O数据以532Mbit/s速度传输。

特点
  ●32M位串行闪存

  ●4096K字节

  ●每个可编程页面256字节

  ●标准二重的四路SPI

  ●标准:SCLK、CS#、SI、SO WP#、HOLD#

  ●双SPl:SCLK、CS#、IO1、WP#、HOLD#

  ●四路:SCLK、CS#、。102

  ●高速时钟频率

  ●133MHz用于30PF负载的快速读取

  ●高达266Mbit/s的双I/O数据传输

  ●四路/O数据传输高达532Mbit/s

  ●软件/硬件写入保护

  ●通过软件对所有/部分内存进行写保护

  ●使用WP#引脚启用/禁用保护

  ●顶部/底部块保护

  ●耐久性和数据保留

  ●最少100000个编程/擦除周期

  ●典型的20年数据保留期

  ●允许XiP(就地执行)操作

  ●高速读取减少了整个XiP指令获取时间

  ●带包装的连续读取进一步减少了填充SoC缓存的数据延迟
GD25Q32ESIGR规格参数
参数名称
属性值
类别
半导体;存储器
厂商名称
兆易创新(GigaDevice)
包装
卷带(TR)剪切带(CT)
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NOR
存储容量
32Mb
存储器组织
4M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O
时钟频率
133 MHz
写周期时间 - 字,页
70µs,2.4ms
访问时间
7 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
供应商器件封装
8-SOP
基本产品编号
GD25Q32
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