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1214-110M

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETC SEALED PACKAGE-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件:1214-110M

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
包装说明
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
外壳连接
BASE
最大集电极电流 (IC)
8 A
配置
SINGLE
最高频带
L BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
270 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
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1
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