描述 |
15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
厂商名称 |
New Jersey Semiconductor |
New Jersey Semiconductor |
包装说明 |
O-PALF-W2 |
O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code |
unknow |
unknown |
其他特性 |
LOW ZENER IMPEDANCE, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
LOW ZENER IMPEDANCE, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最小击穿电压 |
31.1 V |
189 V |
击穿电压标称值 |
31.1 V |
189 V |
外壳连接 |
ISOLATED |
ISOLATED |
最大钳位电压 |
52.4 V |
304 V |
配置 |
SINGLE |
SINGLE |
二极管元件材料 |
SILICON |
SILICON |
二极管类型 |
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 |
O-PALF-W2 |
O-PALF-W2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 |
15000 W |
15000 W |
元件数量 |
1 |
1 |
端子数量 |
2 |
2 |
最高工作温度 |
150 °C |
150 °C |
最低工作温度 |
-65 °C |
-65 °C |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装形状 |
ROUND |
ROUND |
封装形式 |
LONG FORM |
LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
极性 |
UNIDIRECTIONAL |
BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 |
7 W |
7 W |
最大重复峰值反向电压 |
28 V |
170 V |
表面贴装 |
NO |
NO |
技术 |
AVALANCHE |
AVALANCHE |
端子形式 |
WIRE |
WIRE |
端子位置 |
AXIAL |
AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |