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1F14

0.5A,1400V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1400V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A

器件类别：分立半导体   

厂商名称：Galaxy Microelectronics

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Galaxy Microelectronics
零件包装代码
R-1
Reach Compliance Code
unknown
应用
FAST RECOVERY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.8 V
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流
25 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
0.5 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
最大重复峰值反向电压
1400 V
最大反向电流
5 µA
最大反向恢复时间
0.3 µs
反向测试电压
1400 V
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
类别
VRRM (V) max
1400
IF (A) max
0.5
VF (V) max
1.8
Condition1_IF (A)
0.5
IFSM (A) max
25
IR (uA) max
5
Condition2_VR (V)
1400
trr (ns) max
300
AEC Qualified
NO
最高工作温度
125
最低工作温度
-55
是否无铅
否
符合Reach
YES
符合RoHS
YES
Package Outlines
R-1
文档预览
BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
1F10 --- 1F20
VOLTAGE RANGE: 1000 ---
2000
V
CURRENT: 0.5 A
PHOTO FLASH RECTIFIERS
Fast switching
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol and
similar solvents
R-1
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC R--1,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.007ounces, 0.20 grams
Mounting position: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
1F10
1F12 1F14 1F15
1F16 1F18
1F20
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
1000
700
1000
1200
840
1200
1400
980
1400
1500
1500
0.5
1600
1600
1800
1800
2000
2000
1050 1120
1260 1400
Peak forw ard surge current
8.3ms
single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 0.5 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
@T
A
=25
@T
A
=100
(NOTE1)
(NOTE2)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
T
J
T
STG
25.0
A
1.8
5.0
100.0
300
15
-55 ---- + 125
-55 ---- + 150
V
μA
ns
pF
Operating junction temperature range
Storage temperature range
2. Mersured at 1MH
Z
and applied rev erse v oltage of 4.0V.
NOTE: 1. Rev erse recov ery test conditions:I
F
=0.5A,I
R
=-1.0A,I
RR
=-0.25A.
www.galaxycn.com
Document Number
1782101
BL
GALAXY ELECTRICAL
1
.
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
1F10 --- 1F20
FIG.1 -- FORWARD DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT
FIG.2 -- PEAK FORWARD SURGE CURRENT
0.5
0.4
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
AMPERES
30
AMPERES
0.3
20
8.3ms Single Half
Sine - Wave
0.2
0.1
0
25
Single Phase
Half W ave 60H
Z
Resistive or
Inductive Load
10
50
75
100
125
150
175
200
0
1
10
100
AMBIENT TEMPERATURE,
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.3 -- TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC
50
N 1.
10
N 1.
+ 0 .5 A
t
rr
D.U.T.
(+)
25VDC
(approx)
(-)
PULSE
GENERATOR
(NOTE2)
0
-0 .2 5 A
1
NONIN-
DUCTIVE
OSCILLOSCOPE
(NOTE 1)
-1 .0 A
NOTES:1.RISE TIME = 7ns MAX.INPUT IMPE
DANCE =1M . 22pF.
Ggggggggg
2.RISE TIME =10ns M
AX.SOURCE IMP
EDANCE=50 .
1 cm
SET TIM BASE FOR 50/100 ns/cm
E
www.galaxycn.com
Document Number
1782101
BL
GALAXY ELECTRICAL
2.
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参数对比
与1F14相近的元器件有：1F10、1F12、1F15、1F16、1F18、1F20。描述及对比如下：
型号 1F14 1F10 1F12 1F15 1F16 1F18 1F20
描述 0.5A,1400V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1400V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1000V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1000V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1200V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1200V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1500V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1500V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1600V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1600V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1800V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1800V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,2000V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 2000V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
零件包装代码 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最大输出电流 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 1400 V 1000 V 1200 V 1500 V 1600 V 1800 V 2000 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs
反向测试电压 1400 V 1000 V 2000 V 1500 V 1600 V 1800 V 2000 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
VRRM (V) max 1400 1000 1200 1500 1600 1800 2000
IF (A) max 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
VF (V) max 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8
Condition1_IF (A) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
IFSM (A) max 25 25 25 25 25 25 25
IR (uA) max 5 5 5 5 5 5 5
Condition2_VR (V) 1400 1000 1200 1500 1600 1800 2000
trr (ns) max 300 300 300 300 300 300 300
AEC Qualified NO NO NO NO NO NO NO
是否无铅 否 否 否 否 否 否 否
符合Reach YES YES YES YES YES YES YES
符合RoHS YES YES YES YES YES YES YES
Package Outlines R-1 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 -
最高工作温度 125 125 125 125 125 125 125
最低工作温度 -55 -55 -55 -55 -55 -55 -55
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