1N4001G-13,1N4001G-13 pdf中文资料,1N4001G-13引脚图,1N4001G-13电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与1N4001G-13相近的元器件有：1N4006G-13、1N4002G-13、1N4003G-13、1N4005G-13、1N4007G-F、1N4007G-13、1N4004G-13。描述及对比如下：

型号	1N4001G-13	1N4006G-13	1N4002G-13	1N4003G-13	1N4005G-13	1N4007G-F	1N4007G-13	1N4004G-13
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
零件包装代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
包装说明	O-PALF-W2	PLASTIC PACKAGE-2	PLASTIC PACKAGE-2	PLASTIC PACKAGE-2	PLASTIC PACKAGE-2	PLASTIC PACKAGE-2	PLASTIC PACKAGE-2	O-PALF-W2
针数	2	2	2	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	50 V	800 V	100 V	200 V	600 V	1000 V	1000 V	400 V
最大反向恢复时间	2 µs	2 µs	2 µs	2 µs	2 µs	2 µs	2 µs	2 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	-	e0	e0
峰值回流温度（摄氏度）	235	235	235	235	235	-	235	235
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	-	TIN LEAD	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	-	10	10

有一段汇编代码，因为涉及晶振频率问题，请帮忙改成c代码: 有一段汇编代码，因为涉及晶振频率问题，晶振一改代码也需要跟着改，但又不会用汇编，请高手帮忙改成c代码...; lszcp 嵌入式系统

[活动贴]MSP430 SD卡挂载FATFS: SD卡本身有SDIO和SPI两种接口，ti给出的解决方案是SPI接口的驱动SLAA281b，但...; peter_ly 微控制器 MCU

压力变送器零点迁移和差压变送器零点迁移: 压力变送器、差压变送器大多带有“零点迁移”装置，可对变送器的零点，即量程的起点进行正、负方向的迁...; swp111 工控电子

CC2640 CC1310高低温测试: CC13/26XX是TI全新一代支持Sub1G、2.4G 私有协议、BLE、Zigbee...; Aguilera RF/无线

基于MATLAB的有源滤波器研究: 中心议题：以三相电路瞬时无功功率理论为基础，建立有源滤波器模型应用MATLAB对其在某煤...; DSP16 DSP 与 ARM 处理器

利用方向键选择输入数字: 在wince下面做的一个产品需要输入数字，但是产品不设置键盘，只设置方向键。所以考虑通过按up和...; nywl 嵌入式系统

玻璃技术进步惊人带动液晶显示器革新

玻璃技术的进步非常惊人。既有轻质纤薄的玻璃，又有牢固结实的玻璃，就连能像薄膜一样弯曲的玻璃也已问世。玻璃技术现在已经进步到什么程度?今后又会如何发展呢? 　　美国康宁公司(Corning)开发出了在智能手机屏幕的玻璃基板中安装透明传感器的技术，并在学术期刊《Optics Express》上发表了相关论文。如果能在智能手机屏幕使用的薄玻璃板中嵌入各种传感器功能，就可以在不对智能手机内部...[详细]
USB Type-C硬是要上　台系IC设计喜迎新单

面对第3季问世的PC与NB新品，不约而同都挂上了最新的USB Type-C规格，紧接着第4季新款智能型手机也将换装Type-C接口，台系IC设计业者直言，Type-C芯片商机已正式报到。面对庞大传输接口的改朝换代需求，可望一路畅旺到2017年都不歇，包括Type-C主控芯片、PD芯片及相关保护元件订单能见度，近期均是节节高升，不仅第3季出货量可望较第2季倍增，第4季也可望维持高档不坠，...[详细]
TDK开发并开始量产超高导磁率的新型磁片

TDK株式会社开发出兼顾出色的阻燃性和行业最高水准的超高导磁率的新型抗噪磁片（产品名：IRJ17），并于3月开始量产。本次开发的磁片利用TDK所擅长的材料技术，将自主开发的软磁性材料与聚合物材料结合在一起，并且使用了利用创新型粉体成分及成形进行加工优化的磁性粉。近年来，数码相机及手机等各种电子设备不仅在向小型、薄型化发展，还朝着多功能迅猛发展。与此同时，设备内部...[详细]
三星和AMD合作的GPU原定本月推出但现在可能推迟了

三星宣布与AMD在移动GPU领域建立合作关系已经两年了，但我们还没有看到双方带来的第一款产品。三星一度被认为将在本月宣布推出合作的GPU，但这种情况发生了改变。今年年初，三星透露其下一款旗舰产品Exynos芯片将配备AMD GPU。爆料者Ice Universe在当时的一条推文中透露，GPU将于今年发布，甚至可能出现在Galaxy Z Fold3中。快进到2月份，爆料透露，联合开发的...[详细]
dsPIC及其在交流变频调速中的应用研究

在现代交流调速中，越来越多地采用交流变频调速。PWM变频器与鼠笼型电机的结合，就性价比而言是公认的优选方案。Microchip公司生产的16位微处理器dsPIC30F4012具有片内波形发生器，是专为电机高速控制而设计的。本文引入了dsPIC30F4012芯片，并介绍采用它与IPM模块结合实现的全数字化SPWM变频调速系统的构成及基本算法。系统主电路采用交直一交电压型变频方式，逆变电路采用三菱电机...[详细]
小米官方开放MIX 2预订登记：真的等不及

尽管离9月12日的小米发布会还有1天时间，但是各种官方爆照已经完全泄露了明天的主角——小米MIX 2与小米Note 3。　　不过新款小米手机往往都会遇到产能问题，比如小米6直到现在依然没有完全开放购买，想必小米官方也是考虑到了这个问题，今天就在小米商城APP里开放了小米MIX 2与小米Note 3的购买登记。　　该怎么登记呢？首先点击首页的这个入口，就可以看到小米MIX 2和小米N...[详细]
13 代酷睿和锐炫显卡带来震撼体验，英特尔与合作伙伴引爆 Bilibili World 2023 狂欢

2023 年 7 月 21 日，上海——今天，英特尔在大型电竞娱乐展会 Bilibili World 2023 上亮相，带来了多种爆款游戏在深度优化后的体验，并与七彩虹、GUNNIR、惠普、联想（拯救者）、机械师、机械革命、PICO、宏碁（掠夺者）、雷神（按照品牌英文名称首字母顺序排序）等 9 家产业合作伙伴齐聚一堂，在现场展示了基于第 13 代酷睿处理器和英特尔锐炫显卡的多款炫酷 PC 新机，...[详细]
基于CPLD控制的通用视频采集模块

　　1. 引言　　对于用于视频图像处理的DSP 来说,由于前端的A/D 采集速度较低,一般为了减少DSP 的开销,在视频采集A/D 和DSP之间接入先进先出存储器(FIFO) 作为缓冲。　　基于先进先出存储器(FIFO) 的多样性,一般在视频采集与微处理器模块之间很少提供无缝接口。传统的方法是用简单的逻辑电路实现很少一部分接口控制，大多数是通过软件来实现,虽然软件设计灵活性比较大,但是对...[详细]
BCD与HEX之间相互转换

最近在做一个项目，用到这个东东，可是网上找到的一些相关函数还是有点错误，干脆自己写了一个，大家看能用就用吧。 //Val_BCD的范围（ 0x99, 0） INT8U BCD2HEX(INT8U Val_BCD) { INT8U temp; temp = Val_BCD&0x0F; //按位与，temp得到低四位数。 Val_BCD = 4; //右移四位，将高四位移到低四...[详细]
基于LabVIEW的光伏电源监控系统设计

0 引言光伏发电技术是世界新能源的发展趋势之一，它要求更讲究系统效率、更可靠、也更经济。传统意义上的监控一般建立在近距离条件下，即近距离监控，这种方式要求配备一定的维护人员进行，花费大量的人力、物力和财力，而且随着电站规模的扩大，已经越来越不能适应现代化经济的发展，因此，一种成本低、低功耗、界面简单容易操作、具有配置通用性、方便实用的光伏电源监控系统势在必行。而这种实时监控系统的广泛应用，也会...[详细]
手机强迫症的九大表现网友：全部中枪

如今，机不离手，手不离机成为现代人的习惯，进而演变为智能手机强迫症，表现为常常不自觉的解锁屏幕、刷微信、刷微博，查看一次手机不会超过30秒。　　日前，小米手机总结了手机强迫症的九大表现，看看你中了几枪？这九大表现分别为：　　1、电话恐惧症；　　2、手机铃声幻听；　　3、图标必须按颜色分类；　　4、离开手机30分钟，感觉会错过了几个亿的生意；　　5、手机图标上有数字，消灭干净；　　6...[详细]
小米向所有小米A1手机推送安卓8.0系统更新，性能大提升

小米在近日发布消息称，已经向所有的小米A1手机用户推送Android Oreo系统更新，用户在检查更新当中就可以下载，与其一起推送的还有一月的安全补丁。本次更新之后，小米A1手机将新增画中画模式，改进通知功能，同时新增了Android自适应图标功能，完整更新日志如下： 1.优化音频。 2.充电时，取消锁屏上的“快速充电”提示。 3.整合MIUI的性能优化。 4.修复“蓝牙功...[详细]
Entegris携最新产品亮相Semicon Taiwan，提供整合解决方案应对未

随着先进制程的不断推进，从14nm、10nm到将来的7nm、3nm，在生产过程中产生的微粒也越来越小，怎样去找到这些极微小的微粒将是未来半导体制造商面临的一个非常大的挑战。近日，领先特殊材料供应商Entegris参加了在Semicon Taiwan，同时发布了几款全新产品，其全球销售副总裁谢俊安也与台湾媒体进行了交流。谢俊安首先介绍了Entegris的三个主要事业部，分别为电子材料部分，...[详细]
高功率以太网供电，让物联网新应用成为可能

电源和联接是物联网 (IoT) 的主要挑战，会影响各种电气和电子设备。以太网供电 (PoE) 的新标准可以同时解决这两大挑战，从而可以在网络边缘进行更多处理，并提高最新联接系统的性能。物联网全都关乎联接。将传感器、执行器和监控系统联接到“云”，可以汇总从世界任何地方访问的数据。分析这些数据可以早期识别潜在的问题，提供优化系统并降低能源成本的新方法。在一条电缆中结合数据和联接性可以使整...[详细]
三星10nm比拚台积电，放话今年量产抢第一

逻辑晶片的先进制程大战来到 10 奈米，虽然英特尔已几近败下阵来，然台积电与三星的战火正在延烧，三星 20 日宣称 10 奈米制程将于 2016 年稍晚推出，颇有与台积电较劲意味。三星 20 日于加州北圣荷西总部举办一场邀请制发表会，瞄准现有及潜在客户，说服其继续采用三星下世代制程，在会中三星展示了成本再优化的新一代 14 奈米制程，以及第二代 10 奈米技术，并称其技术将能较第...[详细]