1N4948-B,1N4948-B pdf中文资料,1N4948-B引脚图,1N4948-B电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与1N4948-B相近的元器件有：1N4947-B、1N4944-T、1N4946-B、1N4947-T、1N4944-B、1N4942-T、1N4942-B、1N4946-T。描述及对比如下：

型号	1N4948-B	1N4947-B	1N4944-T	1N4946-B	1N4947-T	1N4944-B	1N4942-T	1N4942-B	1N4946-T
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC, DO-41, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC, DO-41, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
包装说明	PLASTIC PACKAGE-2	O-PALF-W2	PLASTIC PACKAGE-2	PLASTIC PACKAGE-2	PLASTIC PACKAGE-2	PLASTIC PACKAGE-2	O-PALF-W2	PLASTIC, DO-41, 2 PIN	PLASTIC PACKAGE-2
针数	2	2	2	2	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	not_compliant	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY	HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-65 °C	-65 °C	-55 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	265	265	265	265	265	265	265	265	265
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1000 V	800 V	400 V	600 V	800 V	400 V	200 V	200 V	600 V
最大反向恢复时间	0.5 µs	0.25 µs	0.15 µs	0.25 µs	0.25 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.25 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1

寻求14位A/D转换的单片机: 寻求带14位A/D转换的单片机，请大家推荐，谢谢要求价位合理。寻求14位A/D转换的单片机详细...; 双手互搏微控制器 MCU

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飞思卡尔定时器TC值: 刚开始学习飞思卡尔的控制器，对其中定时器TC值有疑问：比如说我循环产生5ms的中断，即从0-18...; 虚源草 NXP MCU

fpga的最大可用io数遇到的问题: 今天发现了一个问题，就是我用quartus ii的时候显示的芯片可用io数与handbook中的数...; woaiwojia1988 FPGA/CPLD

CC3200 Wifi 模块烧录程序: 求问，像这块CC3200wifi模块应该怎么烧录程序（需要安装什么驱动），它和CC3200 Laun...; yanhk 无线连接

嵌入式软件的设计题目.请高手给出出主意.: eeworld的各位高手.我想问问下面这个问题. 我将面临着一个设计课程的学习;我想问下面的哪个设计...; yoshiki117 嵌入式系统

Maxim推出双路、单芯片可变电压衰减器

Maxim推出双路、单芯片可变电压衰减器(VVA) MAX19790，工作频率范围为250MHz至4000MHz。该款VVA设计用作高性能无线基础设施中的通用模块，在工作频率和衰减设置范围内提供44dB线性控制动态范围和业内最佳的S21平坦度。MAX19790集优异的平坦度指标与线性衰减控制功能于一体，可理想用于蜂窝基站、微波点对点系统和SatCom设备等宽带基础设施应用。 MAX...[详细]
RS供应新型mbed应用板

中国上海，2012 年2月26日讯 –– 全球领先的电子与维修产品高端服务分销商Electrocomponents plc集团公司（LSE：ECM）旗下的贸易品牌RS Components公司宣布推出一款新型mbed应用板。基于mbed开发者平台，新款mbed应用板包含了一系列连接器和外部接口，无需附加板卡，从而为工程师节省了宝贵的时间。信用卡大小（54mm x 86mm）的新款应用板是...[详细]
STM32：DMA方式接收SPI总线数据，并按照协议进行处理

一、前言为满足高速数据传输的要求，采用SPI总线。MCU端（STM32F072 Cortex-M0）接收CPU发送的SPI数据（数据18个字节为一包，起始包为0xAA，最后一包为CheckSum校验），接收完成后，将校验正确的数据分配给RF发送给接收端。二、硬件电路如下图所示，SPI部分使用SPI2即PB12 PB13 PB14 PB15 三、程序流程 3.1 SPI初始化 SPI...[详细]
夏普，体制结构问题旧态依然

夏普敲定了最大近1700亿日元的增资方案。此举意在通过强化资本，暂时摆脱财务危机。但直到现在，夏普内部结构摆脱液晶还没有眉目。位于奈良县天理市的夏普研究开发本部。在总务等部门所在的建筑物7层的一个房间，已于6月卸下董事长职务的片山干雄现在还会搭乘公司车辆来这里上班。因业绩低迷引咎退任的片山现在的头衔是“研究员（技术顾问）”。虽然表面上不参与夏普的经营，...[详细]
投行上调苹果目标股价看好5G iPhone SE前景

投资银行摩根大通(JP Morgan)将苹果的目标股价上调至210美元，理由是需求旺盛导致2022年初的预期收益，以及看好5G iPhone SE的前景。在一份致投资者的报告中，摩根大通分析师Samik Chatterjee认为，由于对iPhone 13需求的预期有所改善，苹果的股价已经“成功扭转了”2021年上半年的不佳表现。另外，股价上调的部分原因是有消息称将推出新的iPhone...[详细]
特斯拉NACS充电器即将推出的兼容电动车与充电网络到底怎么样？

毋庸置疑，驾驶柴油或汽油动力车辆的人几乎可以打开任何燃油泵并加满油箱。对于电动汽车驾驶员来说，这并不是那么简单。这是因为电动汽车目前有几种不同的充电端口之一，从奇怪的CHAdeMO到更常见的组合充电系统 (CCS) 和特斯拉专有的北美充电标准 (NACS)。特斯拉的 NACS 充电端口和该公司广泛的超级充电站网络在很大程度上被认为是黄金标准，其他汽车制造商似乎已经准备好让特斯拉的系统成为行...[详细]
弃NXP转ST？苹果新iPhone NFC可能改变供应商结构

苹果(Apple) iPhone内建近场无线通讯(NFC)芯片过去长期主要采恩智浦(NXP)的技术，但随着高通(Qualcomm)宣布收购恩智浦，苹果与高通近期在专利授权费上缠讼不止、争议持续升高，外界也在推测是否苹果即将问世的新一代iPhone 8可能不会采用恩智浦NFC芯片，而改拥抱意法半导体(STMicroelectronics)的NFC芯片，虽然意法至今仍未做出评论，不少市场分析师也仍怀...[详细]
STM32 24C02函数 I2C例程非STM32库方式

#define ADDR_24CXX 0xA0 void I2C_24CXX_Write(u16 nAddr, u8* pDat, u16 nLen) { u16 i = 0; /* Enable I2C1 acknowledgement if it is already disabled by other function */ //I2C_AcknowledgeConfig(I2C1...[详细]
NVIDIA DGX SuperPOD 助力京东探索研究院 Vega-MT 模型大赛夺魁！

模型训练任务缩短到两周内完成，且在算力和扩展性上都有倍数提升。图片来源于京东借助 NVIDIA DGX SuperPOD，京东探索研究院训练了参数量近五十亿的 Vega-MT 模型，在 2022 年第 17 届国际机器翻译大赛（WMT）上大放异彩。Vega-MT 在中文-英语（BLEU 33.5, chrF 0.611）、英文-中文（BLEU 49.7, chrF 0.446）、...[详细]
基于DSP控制技术的逆变器谐波失真消除

1 引言随着数字处理系统应用的快速发展，许多设备，如报警系统，健康护理设备和安全照明设备等对高品质不间断电源的需求也就随之增加。而且随着高频静态功率变换器的广泛使用，包括临界载荷在内的许多电力负载都成为了非线性的，并将产生谐波。因此，必须应用附加谐波滤波技术来保证UPS逆变器有高品质的正弦输出电压。一台典型的在线式UPS系统框图如图1所示，它主要是由以下几部分组成：整...[详细]
东芝新款1200V碳化硅MOSFET，可降低功耗，精简系统

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并于今日开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。新产品采用了可提高碳化硅MOSFE...[详细]
吊打微软亲儿子阿尔卡特WP旗舰曝光

系统不被厂商和用户认可，微软Win 10 Mobile不仅仅是应用缺失，就连能选择的机型也愈发有限。可叹微软不争气，2016年已经过了一半，自家门面还靠着去年的“亲儿子”Lumia 950/950 XL苦撑，骁龙810+3GB运存+大塑料实在是难以跟其他平台旗舰争锋。终于，我们等来了阿尔卡特前来救场，其旗下一款暴强的“真旗舰”遭到了曝光。　　外媒消息称，之前曝光中叫做Alc...[详细]
突破！奇瑞汽车揭秘新一代混动技术，8款新车即将上市！

比亚迪DM-i之后，各大品牌纷纷跟进推出混动产品，奇瑞汽车同样不落人后，目前在售的鲲鹏DHT系列（第二代混动技术）依然是采用1.5T奥拓循环发动机，相对于市场上1.5T米勒循环发动机的混动产品，其燃油经济性并没有显著优势。然而，自今年4月上海车展以来，奇瑞集团开始转向更先进的混动技术，推出鲲鹏超性能电混C-DM解决方案（第三代混动技术，下简称CD-M混动方案）的热门车款。此外，近期官方也已公布，...[详细]
51单片机多机通信电路图及C语言程序

多机通信电路图此处，U1作为主机，U2为从机1，U3为从机2。多机通信C语言程序 (1)主机程序 #include #include #define _SUCC_ 0x0f//数据传送成功 #define _ERR_ 0xf0//数据传送失败 unsigned charTable ={0x31,0x32,0x33,0x34,0x35,0x36,0x37,0x38,0x39}; unsig...[详细]
伺服控制系统的组成一般包括什么

伺服控制系统是一种高精度、高响应速度的自动控制系统，广泛应用于工业自动化、机器人、航空航天等领域。本文将详细介绍伺服控制系统的组成，包括伺服电机、驱动器、控制器、传感器、执行机构等部分，以及它们之间的相互关系和作用。伺服电机伺服电机是伺服控制系统的核心部件，它是一种高精度、高响应速度的电机，能够实现对转子位置、速度和加速度的精确控制。伺服电机的工作原理是将输入的电信号转换为机械运动，通过...[详细]