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1N5397-T

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO15

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Diodes

厂商官网:http://www.diodes.com/

器件标准:

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器件:1N5397-T

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器件参数
参数名称
属性值
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
600V
电流 - 平均整流(Io)
1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf
1.1V @ 1.5A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容
20pF @ 4V,1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AC,DO-15,轴向
供应商器件封装
DO-15
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C
参数对比
与1N5397-T相近的元器件有:1N5395-T、1N5391-T、1N5391S-T、1N5395S-T、1N5397S-T。描述及对比如下:
型号 1N5397-T 1N5395-T 1N5391-T 1N5391S-T 1N5395S-T 1N5397S-T
描述 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO15 Rectifiers 1.5A 400V DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15 DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41 DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO41 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO41
二极管类型 标准 - 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 600V - 50V 50V 400V 600V
电流 - 平均整流(Io) 1.5A - 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.1V @ 1.5A - 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 600V - 5µA @ 50V 5µA @ 50V 5µA @ 400V 5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容 20pF @ 4V,1MHz - 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AC,DO-15,轴向 - DO-204AC,DO-15,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-15 - DO-15 DO-41 DO-41 DO-41
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C - -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C
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