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1N5407G

3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
3 A, 800 V, 硅, 整流二极管

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:SynSemi

厂商官网:http://www.synsemi.com/

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器件:1N5407G

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SynSemi
Reach Compliance Code
unknow
参数对比
与1N5407G相近的元器件有:1N5400G、1N5402G、1N5404G、1N5406G、1N5408G。描述及对比如下:
型号 1N5407G 1N5400G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5408G
描述 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27
厂商名称 SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
最大非重复峰值正向电流 - 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 - 1 1 1 1 1
最高工作温度 - 170 °C 170 °C 170 °C 170 °C 170 °C
最大输出电流 - 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 - 50 V 200 V 400 V 600 V 1000 V
表面贴装 - NO NO NO NO NO
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