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1N5408

RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-204AE
整流二极管,1KV V(RRM),DO-204AE

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：重庆平伟实业

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器件：1N5408

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器件参数
参数名称
属性值
状态
CONSULT MFR
二极管类型
整流二极管
文档预览
CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.
1N5400 THRU 1N5408
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
VOLTAGE：50-1000V
CURRENT：3.0A
FEATURES
·High
reliability
·Low
leakage
·Low
forward voltage drop
·High
current capability
DO-27
1.0(25.4)
MIN.
.375(9.5)
.335(8.5)
.052(1.3)
.048(1.2)
DIA.
MECHANICAL DATA
·Case:
Molded plastic
·Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
·Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
·Polarity:Color
band denotes cathode end
·Mounting
position:
Any
·Weight:
1.18 grams
.220(5.6)
.187(5.0)
1.0(25.4)
MIN.
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407 1N5408
units
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward rectified Current
.375”(9.5mm) lead length at T
L
=75°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rate load (JEDEC
method)
Maximum Instantaneous forward Voltage at 3.0A
DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@ T
A
=25°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
V
F
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
150
1.1
5.0
500
30
40
30
pF
°C/W
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
@ T
A
=100°C
I
R
Maximum Full Load Reverse Current Average,
Full Cycle .375”(9.5mm) lead length at T
L
=75°C
C
J
Typical Junction Capacitance (Note)
R
θJA
Typical Thermal Resistance
Notes: Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
µA
１
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文件½用
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参数对比
与1N5408相近的元器件有：1N5400、1N5401、1N5402、1N5404、1N5406、1N5407。描述及对比如下：
型号 1N5408 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407
描述 RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-204AE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
状态 CONSULT MFR ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED ACTIVE DISCONTINUED -
二极管类型 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管 -
端子数量 - 2 2 2 2 2 -
元件数量 - 1 1 1 1 1 -
加工封装描述 - 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 绿色, 塑料 PACKAGE-2 铅 FREE, 塑料, CASE 267-05, 2 PIN -
包装形状 - 圆 圆 圆 圆 圆 -
包装尺寸 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM -
端子形式 - 线 线 线 线 线 -
端子涂层 - MATTE 锡 锡 锡 铅 PURE 锡 MATTE 锡 -
端子位置 - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL -
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 -
结构 - 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的 -
壳体连接 - 隔离 隔离 隔离 隔离 隔离 -
二极管元件材料 - 硅 硅 硅 硅 硅 -
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE EFFICIENCY GENERAL PURPOSE -
相数 - 1 1 1 1 1 -
最大重复峰值反向电压 - 50 V 100 V 200 V 400 V 600 V -
最大平均正向电流 - 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A -
最大非重复峰值正向电流 - 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A -
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器件捷径:
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