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1S4G

ULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED RECTIFIER VOLTAGE: 200 TO 400V CURRENT: 0.7A

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Gulf Semiconductor

厂商官网：http://www.gulfsemi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Gulf Semiconductor
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
O-PALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
0.7 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
最大重复峰值反向电压
400 V
最大反向恢复时间
0.035 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
文档预览
1S2G THRU 1S4G
ULTRAFAST EFFICIENT
GLASS PASSIVATED RECTIFIER
VOLTAGE: 200 TO 400V
CURRENT: 0.7A
FEATURE
Molded case feature for auto insertion
High current capability
Low leakage current
High surge capability
High temperature soldering guaranteed
250°C /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension
Glass Passivated chip
R-1
MECHANICAL DATA
Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame
Retardant Epoxy
Polarity: color band denotes cathode
Mounting position: any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,
for capacitive load, derate current by 20%)
SYMBOL
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
Ir(av)
Ir
Cj
Trr
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current 3/8
"
lead length at Ta =25
°
C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Instantaneous Forward Voltage at
rated forward current
Maximum full load reverse current
full cycle at T
L
=75
°
C
Maximum DC Reverse Current
Ta =25
°
C
C
at rated DC blocking voltage
Ta =100
°
Typical Junction Capacitance
(Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time
(Note 2)
1S2G
200
140
200
0.7
15.0
1.8
50.0
10.0
100.0
15.0
35
50.0
-55 to +150
1S4G
400
280
400
units
V
V
V
A
A
V
µ
A
µ
A
µ
A
pF
nS
Operating Temperature
(Note 3)
Storage and Operation Junction Temperature
R(ja)
Tstg, Tj
°
/W
C
°
C
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc
2. Test Condition If
=0.5A,
Ir =1.0A, Irr =0.25A
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375" lead length, P.C. Board Mounted
Rev.A1
www.gulfsemi.com
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 1S2G THRU 1S4G
1
1
Rev.A1
www.gulfsemi.com
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参数对比
与1S4G相近的元器件有：1S2G。描述及对比如下：
型号 1S4G 1S2G
描述 ULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED RECTIFIER VOLTAGE: 200 TO 400V CURRENT: 0.7A ULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED RECTIFIER VOLTAGE: 200 TO 400V CURRENT: 0.7A
厂商名称 Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.7 A 0.7 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
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