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2C918

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, DIE

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Semicoa

厂商官网:http://www.snscorp.com/Semicoa.htm

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器件参数
参数名称
属性值
零件包装代码
DIE
包装说明
UNCASED CHIP, S-XUUC-N
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
集电极-发射极最大电压
15 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
20
JESD-30 代码
S-XUUC-N
元件数量
1
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
SQUARE
封装形式
UNCASED CHIP
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
Data Sheet No. 2C2857
Chip Type 2C2857
Geometry 0011
Polarity NPN
Generic Packaged Part:
2N2857
Chip type
2C2857
by Semicoa Semi-
conductors provides performance
similar to these devices.
Part Numbers:
2N2857, 2N2857UB,
SD2857, SD2857F,
SQ2857, SQ2857F
Product Summary:
APPLICATIONS:
Designed for use
in high-gain, low noise amplifier, os-
cillator, mixer and UHF converters.
Features: ft = 1.2 GHz (typ) at 5 mA/6V
Mechanical Specifications
Metallization
Bonding Pad Size
Die Thickness
Chip Area
Top Surface
Top
Backside
Emitter
Base
Al - 15 kÅ min.
Au - 6.5 kÅ nom.
2.3 mils x 2.3 mils
2.3 mils x 2.3 mils
8 mils nominal
16 mils x 16 mils
Silox Passivated
Electrical Characteristics
T
A
= 25 C
Parameter
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
o
Test conditions
I
C
= 3.0 mA
I
C
= 1.0 µA
I
E
= 10 µA
V
CB
= 15 V
Min
15
30
2.5
---
Max
---
---
---
0.01
Unit
V dc
V dc
V dc
µA dc
h
FE
I
C
= 3.0 mA dc, V
CE
= 1.0 V
30
150
---
Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width of less
than 300 µs, duty cycle less than 2%.
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