2N7002W_R1_00001

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道 N沟道，60V,115mA

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：强茂(PANJIT)

厂商官网：http://www.panjit.com.tw/

器件标准：