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2SC2222H_R1_00001

Power Bipolar Transistor,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件:2SC2222H_R1_00001

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Reach Compliance Code
compli
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
0.6 A
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
40
JESD-30 代码
R-PSSO-F3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
300 MHz
Base Number Matches
1
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