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5962-01-418-5858

FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
35 ns
最大时钟频率 (fCLK)
22.2 MHz
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
36864 bit
内存集成电路类型
OTHER FIFO
内存宽度
9
湿度敏感等级
1
端子数量
28
字数
4096 words
字数代码
4000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4KX9
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.008 A
最大压摆率
0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
6
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参数对比
与5962-01-418-5858相近的元器件有:5962-01-356-3041、7203S25J、5962-01-319-9077、5962-01-413-3523、7203S12TP、7203S35J、7204S12TP。描述及对比如下:
型号 5962-01-418-5858 5962-01-356-3041 7203S25J 5962-01-319-9077 5962-01-413-3523 7203S12TP 7203S35J 7204S12TP
描述 FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32 FIFO, 2KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 FIFO, 2KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32 FIFO, 4KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant _compli _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 50 ns 25 ns 65 ns 50 ns 12 ns 35 ns 12 ns
最大时钟频率 (fCLK) 22.2 MHz 15 MHz 28.5 MHz 12.5 MHz 15 MHz 50 MHz 22.2 MHz 50 MHz
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28
内存密度 36864 bit 36864 bi 18432 bit 18432 bit 36864 bi 18432 bi 18432 bi 36864 bi
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 9 9 9 9 9 9 9 9
端子数量 28 28 32 28 28 28 32 28
字数 4096 words 4096 words 2048 words 2048 words 4096 words 2048 words 2048 words 4096 words
字数代码 4000 4000 2000 2000 4000 2000 2000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX9 4KX9 2KX9 2KX9 4KX9 2KX9 2KX9 4KX9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP QCCJ DIP DIP DIP QCCJ DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 LDCC32,.5X.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.3 LDCC32,.5X.6 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 225 260 260 225 225 225
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.012 A 0.012 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES NO NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 6 6 30 6 6 30 30 30
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
JESD-609代码 e0 e0 e0 - - e0 e0 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) - - Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
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