AM7202A-15RC,AM7202A-15RC pdf中文资料,AM7202A-15RC引脚图,AM7202A-15RC电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与AM7202A-15RC相近的元器件有：AM7202A-15JC、AM7202A-25PC、AM7202A-25RC、AM7202A-35RC、AM7202A-50JC、AM7202A-50PC、AM7202A-50RC、AM7202A-35JC。描述及对比如下：

型号	AM7202A-15RC	AM7202A-15JC	AM7202A-25PC	AM7202A-25RC	AM7202A-35RC	AM7202A-50JC	AM7202A-50PC	AM7202A-50RC	AM7202A-35JC
描述	FIFO, 1KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	FIFO, 1KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
零件包装代码	DIP	QFJ	DIP	DIP	DIP	QFJ	DIP	DIP	QFJ
包装说明	DIP,	QCCJ,	DIP,	DIP,	DIP,	QCCJ,	DIP,	DIP,	QCCJ,
针数	28	32	28	28	28	32	28	28	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	15 ns	15 ns	25 ns	25 ns	35 ns	50 ns	50 ns	50 ns	35 ns
其他特性	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT
周期时间	25 ns	25 ns	35 ns	35 ns	45 ns	65 ns	65 ns	65 ns	45 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32
长度	35.2425 mm	13.97 mm	37.084 mm	35.2425 mm	35.2425 mm	13.97 mm	37.084 mm	35.2425 mm	13.97 mm
内存密度	9216 bit	9216 bit	9216 bit	9216 bit	9216 bit	9216 bit	9216 bit	9216 bit	9216 bit
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	32	28	28	28	32	28	28	32
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1KX9	1KX9	1KX9	1KX9	1KX9	1KX9	1KX9	1KX9	1KX9
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCJ	DIP	DIP	DIP	QCCJ	DIP	DIP	QCCJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	3.556 mm	5.715 mm	5.08 mm	5.08 mm	3.556 mm	5.715 mm	5.08 mm	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	NO	YES	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	11.43 mm	15.24 mm	7.62 mm	7.62 mm	11.43 mm	15.24 mm	7.62 mm	11.43 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	-

关于运放电路饱和问题: 这是我做的LM358的Howland电路模拟实验，我发现电压在5V以下是正常的，但是超出5V就饱...; bigbat 模拟电子

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旋转编码器（STM32PWM输入实验）

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用两片LM3886实现输出电流及功率扩展的方法

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一加5新渲染图曝光：垂直双摄/拼接后背

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maXTouch控制器助力三星智能手机触摸屏

maXTouch mXT224S控制器为三星创新型Galaxy S III ‘Mini’4英寸智能手机触摸屏提供功能强大的无缝触摸体验微控制器及触摸技术解决方案的领导厂商爱特梅尔公司(Atmel® Corporation)宣布maXTouch® mXT224S控制器获三星最新发布的Galaxy S III‘Mini’智能手机触摸屏选用。新推出的Galaxy S III ‘M...[详细]
STM32F103串口通讯注意事项

（1）通过串口不断发送数据库函数中的 void USART_SendData(USART_TypeDef* USARTx, uint16_t Data); 函数不具备缓存作用，当我们需要连续不断发送一段数据时，我们需要等待前一次数据发送完成，放置数据丢失错误 void usart2_send_char(u8 _char) { /* 等待上一次发送完成*/ while( !(US...[详细]
电动车车祸怎么办？奔驰这技术可以救命

电动汽车已逐渐开始普及，由于现在的电动汽车都有着高压电缆、电池、以及其他新型传动部件，当其遇到安全事故时，给现场急救人员带来新的考验。现场急救人员在紧急情况下无法再像以前一样轻易判断如何切割车身救出事故者，如果切割错误，无论对事故者还是救援人员来说都是一件极其危险的事。针对这个情况，梅赛德斯· 奔驰开发出一款帮助现场急救人员获知车辆内部结构部件的App应用Rescue Assist...[详细]
STM8电压表原理图及源程序 IAR环境

刚刚用STM8S003做了个电压表，互相交流一下。用到了ADC采样及数码管显示。 STM8电压表单片机源程序： #include iostm8s003f3.h unsigned int ms_count; unsigned char adcflag; unsigned int ADCData; unsigned int tmpin; unsigned int ADCBuff ; /...[详细]
三款LG超轻薄笔记本电脑采用高集成度的赛普拉斯 USB-C 解决方案

加利福尼亚州圣何塞，2017年3月27日 — USB-C市场领导者赛普拉斯半导体公司（纳斯达克代码：CY）今日宣布 LG 电子（LG Electronics）采用其业内集成度最高的 USB-C 解决方案 - 赛普拉斯 EZ-PD™CCG3 控制器，推出三款全新的超轻薄 LG gram 笔记本电脑。CCG3 控制器集成了多种器件并支持全新的 USB-C UCSI 连接标准，满足 LG产品对尺寸...[详细]
外媒打造可折叠iPhone概念设计是你心中所想吗？

苹果预计将在2024年之前发布一款带有柔性OLED屏的“iPhone Fold”，日前外媒AppleInsider打造了独家的渲染效果来展示它可能的样子。传言和专利显示，苹果多年来一直致力于可折叠iPhone的设计。然而，这种设备所需的技术仍处于初级阶段，目前还不清楚该设备会采取什么形式的设计。 2021年9月，分析师表示，它可能要到2024年才会到来。与苹果不同的是，三星一直在通过三...[详细]
IHS：面板零组件偏光片投资集中中国

电子网消息，IHS指出，除了10.5代面板新产线，面板零组件偏光片投资，也将集中于中国大陆。 IHS表示，中国大陆面板厂新产能陆续开出，相关零组件厂商也跟着不断成立，新加入的偏光片厂商增加，同时也开始开发250公分的超宽规格。 IHS强调，平面显示器产业正在进行技术变革，包括从液晶显示面板（LCD）扩充至有机发光二极管（OLED）面板领域，甚至是新型显示技术，如Micro LED。引起这些变化...[详细]
基于DELMIA／IGRIP的工业机器人仿真

0 引言　　机器人仿真技术是计算机技术、机器人学和计算机图形学相结合的产物。借助于机器人的实体图形对机器人的运动进行仿真，可形象逼真地反映机器人工作运动的全过程，可以实现机器人机构和控制器的优化设计，规划出最优的运动轨迹。机器人的动态图形仿真对机器人的设计、制造、试验及其应用具有重要的指导意义。机器人仿真系统作为机器人设计和研究过程中安全可靠、灵活方便的工具，发挥着越来越重要的作用。目前，离线...[详细]
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代

4 月 1 日消息，据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。 DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计。 ▲ 图源 Se...[详细]
存储器起伏尔必达会是下个奇梦达?

存储器的起起伏伏跟随着全球PC业的成长，存储器早己成为半导体业中的敏感点。80年代日本半导体超越美国依靠的是存储器,紧接其后韩国半导体的崛起也是通过它。如今全球存储器业中几乎50%是韩国天下。据统计,全球存储器业己经经历了五次大的整合, 如1999年全球存储器有14家主要生产商，到2001年-2002年整合剩下10家，2003年-2004年时全球存储器己形成五大阵营，分别...[详细]
高速公路监控系统全面数字高清解决方案

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罗克韦尔自动化亮相第七届进博会，三大引擎链动可持续未来

（2024年11月6日，中国上海）作为工业自动化、信息化和数字化转型领域的全球领先企业之一，罗克韦尔自动化连续四年亮相第七届中国国际进口博览会（简称“进博会”）技术装备展区4.1展馆B3-04展台。聚焦中国制造业高端化、智能化、绿色化发展趋势，在此次进博会展台上，罗克韦尔自动化作为生产性服务业链主，充分链动起在数智创新、净零价值和跨界生态方面的实践成果，同时依托这三大引擎，汇聚生态合作伙伴，合力...[详细]