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AM99C10A-70DC

Content Addressable SRAM, 256X48, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERDIP-28

器件类别:存储   

厂商名称:AMD(超微)

厂商官网:http://www.amd.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
AMD(超微)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP,
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
最长访问时间
45 ns
其他特性
LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC
JESD-30 代码
R-GDIP-T28
长度
37.1475 mm
内存密度
12288 bit
内存集成电路类型
CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度
48
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
256 words
字数代码
256
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256X48
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.588 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
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参数对比
与AM99C10A-70DC相近的元器件有:AM99C10A-70JC、AM99C10A-70RC、AM99C10A-100DC、AM99C10A-100JC、AM99C10A-100RC。描述及对比如下:
型号 AM99C10A-70DC AM99C10A-70JC AM99C10A-70RC AM99C10A-100DC AM99C10A-100JC AM99C10A-100RC
描述 Content Addressable SRAM, 256X48, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERDIP-28 Content Addressable SRAM, 256X48, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 Content Addressable SRAM, 256X48, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Content Addressable SRAM, 256X48, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERDIP-28 Content Addressable SRAM, 256X48, 65ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 Content Addressable SRAM, 256X48, 65ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
厂商名称 AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
零件包装代码 DIP QFJ DIP DIP QFJ DIP
包装说明 DIP, QCCJ, DIP, DIP, QCCJ, DIP,
针数 28 32 28 28 32 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N N N
最长访问时间 45 ns 45 ns 45 ns 65 ns 65 ns 65 ns
其他特性 LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC
JESD-30 代码 R-GDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28 R-GDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28
长度 37.1475 mm 13.97 mm 35.2425 mm 37.1475 mm 13.97 mm 35.2425 mm
内存密度 12288 bit 12288 bit 12288 bit 12288 bit 12288 bit 12288 bit
内存集成电路类型 CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度 48 48 48 48 48 48
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 32 28 28 32 28
字数 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words
字数代码 256 256 256 256 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256X48 256X48 256X48 256X48 256X48 256X48
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP QCCJ DIP DIP QCCJ DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.588 mm 3.55 mm 5.08 mm 5.588 mm 3.55 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL DUAL QUAD DUAL
宽度 10.16 mm 11.43 mm 7.62 mm 10.16 mm 11.43 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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